公开(公告)号：CN111149214A

公开(公告)日：2020-05-12

申请号：CN201880061858.5

申请日：2018-09-20

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 箕谷周平 ,  汲田昌弘 ,  副岛成雅

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

Abstract: 以将栅极电极(8)的一部分热氧化而形成的热氧化膜(10a)作为第1层间绝缘膜而进行栅极电极(8)与源极电极(12)的绝缘。通过将栅极电极(8)的一部分热氧化而构成的热氧化膜不成为从SiC表面过于突出的形状，因此不易产生由伴随温度变化等的应力引起的裂纹。因此，能够确保栅极－源极间的绝缘分离。另外，第2层间绝缘膜(11)通过回蚀而从源极区域(4)及基体区域(3)的接触区域之上被去除。因此，在隔着栅极电极(8)的两侧，能够可靠地进行源极电极(12)的接触。

公开(公告)号：CN118380457A

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202410066750.2

申请日：2024-01-17

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社

Inventor： 汲田昌弘 ,  铃木克己 ,  荒内琢司 ,  斋藤顺

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L27/07

Abstract: 本发明提供二极管、内置二极管的场效应晶体管及二极管的制造方法。本发明提供一种在具备由SiC构成的半导体基板的二极管中使蓄积于n型的半导体区域的空穴的量降低来抑制通电劣化的技术。在具备由SiC构成的半导体基板的二极管中，半导体基板具备：p型的第一半导体区域；漂移区域，其从下侧与第一半导体区域相接；以及n型的第二半导体区域，其从下侧与漂移区域相接。漂移区域具有使多个p型柱区域和多个n型柱区域沿横向交替地配置的构造。在漂移区域的深度方向的一部分，设有跨多个p型柱区域和多个n型柱区域分布的特定区域。在特定区域内，p型柱区域的有效p型杂质浓度比其周围低，n型柱区域的有效n型杂质浓度比其周围高。

公开(公告)号：CN111149214B

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN201880061858.5

申请日：2018-09-20

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 箕谷周平 ,  汲田昌弘 ,  副岛成雅

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

Abstract: 以将栅极电极(8)的一部分热氧化而形成的热氧化膜(10a)作为第1层间绝缘膜而进行栅极电极(8)与源极电极(12)的绝缘。通过将栅极电极(8)的一部分热氧化而构成的热氧化膜不成为从SiC表面过于突出的形状，因此不易产生由伴随温度变化等的应力引起的裂纹。因此，能够确保栅极－源极间的绝缘分离。另外，第2层间绝缘膜(11)通过回蚀而从源极区域(4)及基体区域(3)的接触区域之上被去除。因此，在隔着栅极电极(8)的两侧，能够可靠地进行源极电极(12)的接触。