公开(公告)号：CN111952179B

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN202010409494.4

申请日：2020-05-14

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 池田徹 ,  森朋彦 ,  副岛成雅 ,  山寺秀哉

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/306 ,  H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种在由III族氮化物半导体制成的半导体基板中使损伤较少的c面露出的技术。半导体装置的制造方法具有：准备由III族氮化物半导体制成且主表面为c面的半导体基板的工序；通过对主表面进行干法蚀刻而在主表面形成槽部的工序；以及通过使用蚀刻液对槽部的内表面进行湿法蚀刻，而在蚀刻区域内使半导体基板的c面露出的工序，该蚀刻液对半导体基板的c面的蚀刻率与对半导体基板的c面以外的面的蚀刻率相比较低。

公开(公告)号：CN111952179A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN202010409494.4

申请日：2020-05-14

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 池田徹 ,  森朋彦 ,  副岛成雅 ,  山寺秀哉

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/306 ,  H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种在由III族氮化物半导体制成的半导体基板中使损伤较少的c面露出的技术。半导体装置的制造方法具有：准备由III族氮化物半导体制成且主表面为c面的半导体基板的工序；通过对主表面进行干法蚀刻而在主表面形成槽部的工序；以及通过使用蚀刻液对槽部的内表面进行湿法蚀刻，而在蚀刻区域内使半导体基板的c面露出的工序，该蚀刻液对半导体基板的c面的蚀刻率与对半导体基板的c面以外的面的蚀刻率相比较低。