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公开(公告)号：CN107919384B
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201710924364.2
申请日：2017-09-30
Applicant: 株式会社电装
Inventor： 川上昌宏 , 森朋彦 , 上田博之
IPC: H01L29/06 , H01L29/739 , H01L29/78
Abstract: 本发明涉及半导体器件。所述半导体器件包括阱外n型区、被阱外n型区包围的p型阱区、阱内n型区和栅极。阱外n型区包括与p型阱区接触的杂质低浓度区和通过杂质低浓度区与p型阱区分开的杂质高浓度区。
