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1.

发明授权
半导体装置及其制造方法有权

公开(公告)号：CN107871783B

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN201710822062.4

申请日：2017-09-13

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 富田英干 , 兼近将一 , 上田博之 , 森朋彦

IPC: H01L29/78 , H01L29/20 , H01L29/205 , H01L21/336

Abstract: 本发明提供半导体装置及其制造方法，在具备纵型漂移区域(即，JFET区域)的半导体装置中，改善耐压与接通电阻之间存在的此消彼长的关系。半导体装置(1)具备在氮化物半导体层(20)的表面上的一部分设置的异质接合区域(42)。异质接合区域(42)与纵型漂移区域(21b)向氮化物半导体层(20)的表面露出的范围的至少一部分接触，且具有比纵型漂移区域(21b)宽的带隙。在异质接合区域(42)与纵型漂移区域(21b)之间的异质接合界面形成二维电子气体，接通电阻下降。

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