公开(公告)号：CN100345258C

公开(公告)日：2007-10-24

申请号：CN200310122485.3

申请日：2003-12-25

Applicant: 株式会社瑞萨科技 ,  株式会社瑞萨东日本半导体

Inventor： 佐藤一夫 ,  藤木直人

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/304 ,  B08B3/00

CPC classification number: H01L21/67051 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/2253 ,  H01L21/67046 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法，目的在于防止半导体晶片的背面清洗工艺中的静电破坏或干燥不良，提高半导体器件的可靠性。在半导体晶片(1)的背面(1b)朝上的状态下，使半导体晶片(1)旋转。从喷嘴(35)向半导体晶片(1)的背面(1b)供给冲洗液(36)，借助于刷子进行清洗。其间，对半导体晶片(1)的表面(1a)，从配置在其下方的喷嘴(38)供给冲洗液(39)。这时，使来自喷嘴(38)的冲洗液(39)的排出方向成为相对于半导体晶片(1)的表面(1a)垂直的方向，使从喷嘴(38)排出的冲洗液(39)的液流命中到离开半导体晶片(1)的表面(1a)的中心的位置上。

公开(公告)号：CN1510721A

公开(公告)日：2004-07-07

申请号：CN200310122485.3

申请日：2003-12-25

Applicant: 株式会社瑞萨科技 ,  株式会社瑞萨东日本半导体

Inventor： 佐藤一夫 ,  藤木直人

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/304 ,  B08B3/00

CPC classification number: H01L21/67051 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/2253 ,  H01L21/67046 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法，目的在于防止半导体晶片的背面清洗工艺中的静电破坏或干燥不良，提高半导体器件的可靠性。在半导体晶片(1)的背面(1b)朝上的状态下，使半导体晶片(1)旋转。从喷嘴(35)向半导体晶片(1)的背面(1b)供给冲洗液(36)，借助于刷子进行清洗。其间，对半导体晶片(1)的表面(1a)，从配置在其下方的喷嘴(38)供给冲洗液(39)。这时，使来自喷嘴(38)的冲洗液(39)的排出方向成为相对于半导体晶片(1)的表面(1a)垂直的方向，使从喷嘴(38)排出的冲洗液(39)的液流命中到离开半导体晶片(1)的表面(1a)的中心的位置上。