公开(公告)号：CN101345189A

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200810210380.6

申请日：2008-07-11

Applicant: 株式会社瑞萨科技 ,  栗田工业株式会社

Inventor： 广田祐作 ,  菅野至 ,  森田博志 ,  井田纯一

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  B08B3/08 ,  B08B3/12

CPC classification number: H01L21/67086 ,  H01L21/6708

Abstract: 本发明涉及基板的清洗方法和清洗装置。本发明提供一种不损伤基板上的微细图形、效率高的基板的清洗方法。该方法是一种通过批量式浸渍处理方式进行的基板(6)的清洗方法，具备：将单片或多片基板(6)作为一批，将一批基板(6)浸渍在湿刻蚀液中的工序；超声波清洗工序；和干燥工序，其中超声波清洗工序中，使用在大气压下溶解气体的饱和度为60％～100％的清洗水，超声波的频率为500kHz以上，超声波的输出功率为0.02W/cm2～0.5W/cm2。

公开(公告)号：CN101442024A

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200810178643.X

申请日：2008-11-21

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 广田祐作 ,  菅野至

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明涉及包含能够抑制含铜布线的腐蚀的清洗工序的“半导体装置的制造方法”，其中包括如下工序：在半导体衬底(1)上形成含铜布线(5w)((A)工序)；在布线(5w)上形成蚀刻阻挡膜(6es)((B)工序)；在蚀刻阻挡膜(6es)上形成绝缘层(6)((C)工序)；在绝缘层(6)上形成达到蚀刻阻挡膜(6es)的通路孔((D)工序)；用有机溶剂(C)清洗通路孔(6v)和绝缘层(6)的表面((E)工序)；除去蚀刻阻挡膜，使布线(5w)露出((F)工序)；以及再形成电连接至露出的布线(5w)的布线(6w)((G)工序)。