公开(公告)号：CN1697135A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN200510066058.7

申请日：2005-04-19

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 都贺智仁 ,  山本裕彦 ,  舟桥伦正 ,  根本和典

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/316 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02164 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/3165 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  H01L29/42324

Abstract: 本发明提供一种技术，以抑制在晶片上形成的非单晶膜的硅膜的表面上发生的异常。在步骤S1在晶片上形成硅膜，并且在步骤S10形成的晶片上的硅表面上形成起异常抑制膜作用的氧化膜，以抑制表面异常。通过使用化学溶液例如臭氧水或过氧化氢溶液对多晶硅进行表面氧化，形成异常抑制膜。在硅表面上形成异常抑制膜之后，根据需要去除该异常抑制膜，例如异常生长抑制膜，然后执行使硅膜形成图形和形成绝缘氧化膜的处理。