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公开(公告)号：CN100383893C
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN03178715.0
申请日：2003-07-14
Applicant: 株式会社瑞萨科技 , 三菱电机工程株式会社
Abstract: 在读出放大器中，用晶体管(QV1与QV2)将局部输入输出线(LIO、/LIO)维持在预定电压。并且，构成电流反射镜的晶体管(QP3与QP7)按照通过晶体管(QP1与QP5)的通过电流将工作电流供给读出节点(SA、/SA)。又，构成电流反射镜的晶体管(QN2与QN3)从读出节点(SA、/SA)抽出对应于通过晶体管(QP5与QP1)的通过电流的工作电流。与此相应，在读出节点(SA、/SA)上产生对应于工作电流差的电压差。
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公开(公告)号：CN1490818A
公开(公告)日：2004-04-21
申请号：CN03148762.9
申请日：2003-06-25
Applicant: 株式会社瑞萨科技
Inventor： 大石司
Abstract: 在执行数据存储的正规MTJ存储单元(MC)被配置成矩阵状的MTJ存储单元阵列(10)的外围部中，还设置有按照与MTJ存储单元同样的尺寸和结构设计的形状虚设单元(SDC)。MTJ存储单元(MC)和形状虚设单元(SDC)被连续地配置成在整体上具有均匀间距。因此，在分别位于MTJ存储单元阵列(10)的中心部和边界部的MTJ存储单元之间，可消除因周围的存储单元的密度疏密引起的制造时的不均匀性。
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公开(公告)号：CN100367404C
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN03148762.9
申请日：2003-06-25
Applicant: 株式会社瑞萨科技
Inventor： 大石司
Abstract: 在执行数据存储的正规MTJ存储单元(MC)被配置成矩阵状的MTJ存储单元阵列(10)的外围部中，还设置有按照与MTJ存储单元同样的尺寸和结构设计的形状虚设单元(SDC)。MTJ存储单元(MC)和形状虚设单元(SDC)被连续地配置成在整体上具有均匀间距。因此，在分别位于MTJ存储单元阵列(10)的中心部和边界部的MTJ存储单元之间，可消除因周围的存储单元的密度疏密引起的制造时的不均匀性。
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公开(公告)号：CN100354976C
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN03154882.2
申请日：2003-08-19
Applicant: 株式会社瑞萨科技
Inventor： 大石司
CPC classification number: G11C11/16 , G11C14/0081 , H03K19/177 , H03K19/17752 , H03K19/17756 , H03K19/1776
Abstract: 变更现场可编程门阵列(EPGA)功能的开关部分中，设有用于连接控制的数据闩锁电路。数据闩锁电路中有：预先存放了程序数据的程序部分(MU1～MU4)和闩锁部件(100)。在变更功能时，通过有选择地输入控制信号(SEL1～SEL4)将闩锁部件(100)和程序部分(MU)电连接，存放在程序部分(MU)中的数据信号从数据闩锁电路输出。因此，就能够不进行程序数据改写而容易地变更EPGA的功能。
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公开(公告)号：CN1512513A
公开(公告)日：2004-07-14
申请号：CN03154882.2
申请日：2003-08-19
Applicant: 株式会社瑞萨科技
Inventor： 大石司
CPC classification number: G11C11/16 , G11C14/0081 , H03K19/177 , H03K19/17752 , H03K19/17756 , H03K19/1776
Abstract: 变更现场可编程门阵列(EPGA)功能的开关部分中，设有用于连接控制的数据闩锁电路。数据闩锁电路中有：预先存放了程序数据的程序部分(MU1～MU4)和闩锁部件(100)。在变更功能时，通过有选择地输入控制信号(SEL1～SEL4)将闩锁部件(100)和程序部分(MU)电连接，存放在程序部分(MU)中的数据信号从数据闩锁电路输出。因此，就能够不进行程序数据改写而容易地变更EPGA的功能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1510577A
公开(公告)日：2004-07-07
申请号：CN03154685.4
申请日：2003-08-25
Applicant: 株式会社瑞萨科技
Inventor： 大石司
CPC classification number: G11C11/16 , G11C7/1051 , G11C7/1066 , G11C7/1078 , G11C7/1093 , H03L7/07 , H03L7/0814
Abstract: 数据处理系统1的第1特征是在包含用于数据转送的数条信号线的数据转送路径中，各信号线各自独立来进行相位控制。第2特征是从耦合交换机14对信号处理机及信号存储机有选择地进行数据转送。第3特征是信号处理机、信号存储机、耦合交换机14相互耦合。根据这些特征，转送数据及时钟的相位裕度增大，可进行高速转送。此外由于可以对信号存储机直接进行数据写入，因而信号处理机6可得到有效使用。此外可提高信号处理与转送中的效率。
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公开(公告)号：CN1508693A
公开(公告)日：2004-06-30
申请号：CN03157739.3
申请日：2003-08-25
Applicant: 株式会社瑞萨科技
Inventor： 大石司
CPC classification number: G11C29/022 , G11C7/1078 , G11C7/1093 , G11C7/1096 , G11C11/16 , G11C29/02 , G11C29/50012 , G11C2207/2245
Abstract: 读动作中，例如32个读出放大器统一读出32个数据。然后，读出的数据以每次4比特地输出。存储单元阵列以实际的数据输出频率的八分之一的低频动作。另一方面，写动作中，在每个循环逐个比特地从外部向半导体存储装置转送数据。因而通过在写存取路径中设置多个流水线的锁存器，也可以以高频进行写入动作。即在读出时，存储阵列以数据输出频率的八分之一的低频动作，在写入时，在每个时钟进行数据写入动作。从而，可以提供以高速的转送速度可编程的不挥发性半导体存储装置。尤其对MRAM等可进行高速数据写入的存储单元有效。
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公开(公告)号：CN1505055A
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：CN03153097.4
申请日：2003-08-08
Applicant: 株式会社瑞萨科技
Inventor： 大石司
IPC: G11C16/10
Abstract: 存储块(MB)分割成可执行并行数据写入的块单元(BU)。另外，对各个块单元独立设置可提供电源电压Vcc及接地电压GND的电流供给部VC0a、VC0b、VC1a、VC1b。从而，各个块单元通过来自与独立的电源电压及接地电压连接的电流供给部的数据写入电流，向选择的存储单元写入数据。即，可以缩短提供电源电压及接地电压的电源线的配线长度，因而抑制电源线的配线电阻，提供期望的数据写入电流。
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公开(公告)号：CN1501406A
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：CN03178715.0
申请日：2003-07-14
Applicant: 株式会社瑞萨科技 , 三菱电机工程株式会社
Abstract: 在读出放大器中，用晶体管(QV1与QV2)将局部输入输出线(LIO、/LIO)维持在预定电压。并且，构成电流反射镜的晶体管(QP3与QP7)按照通过晶体管(QP1与QP5)的通过电流将工作电流供给读出节点(SA、/SA)。又，构成电流反射镜的晶体管(QN2与QN3)从读出节点(SA、/SA)抽出对应于通过晶体管(QP5与QP1)的通过电流的工作电流。与此相应，在读出节点(SA、/SA)上产生对应于工作电流差的电压差。
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