公开(公告)号：CN1542853A

公开(公告)日：2004-11-03

申请号：CN200410032946.2

申请日：2004-04-16

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 千叶胜一郎 ,  奥村浩司 ,  田中利广

IPC: G11C11/407 ,  G11C11/4072

CPC classification number: G11C16/0425 ,  G11C16/0466 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282

Abstract: 本发明提供一种数据处理器，其实现在片非易失性存储器的高速读取和改进缺陷修复效率。对于一个非易失性存储器，采用这样的非易失性存储单元，其分别具有包括ONO结构的存储器晶体管部分和用于选择该存储器晶体管部分的选择晶体管部分的分离栅极结构。该选择晶体管部分的栅极耐压值可以低于该存储器晶体管部分的栅极耐压值，使得它能够方便地增加读取速度。可以由该数据处理器的复位结构所读取的特定存储区域被分配到该非易失性存储器中的存储区域，并且修复信息等等被存储在该特定存储区域中。传送修复信息的内部电路把由该复制信息所指示的正常存储区域替换为冗余存储区域。因此，不需要用于电熔丝和激光熔丝的编程来指定要被修复的对象。