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公开(公告)号：CN101548231B
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN200880000777.0
申请日：2008-06-12
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: G11B7/251 , B33Y70/00 , B82Y10/00 , G11B7/2531 , G11B2007/24624
Abstract: 提供光敏复合材料以及利用所述光敏复合材料的材料、元件、装置等。在光敏复合材料中，多光子吸收化合物对于通过利用增强等离子体场的实际应用来说是高度敏化的。该光敏复合材料具有这样的结构，其中多光子吸收化合物通过连接基团连接到细金属颗粒的表面上。细金属颗粒产生与多光子激发波长共振的增强表面等离子体场。多光子吸收化合物具有能够进行多光子吸收的分子结构。光敏复合材料被包含于或者被用于例如三维存储材料和三维记录介质、光功率限制材料和光功率限制元件、光固化材料和立体平版印刷术系统以及多光子荧光显微镜用荧光材料和多光子荧光显微镜中。
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公开(公告)号：CN1923871B
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200610126334.9
申请日：2006-08-30
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: C08G61/126 , C07D307/52 , C07D333/20 , C07D409/12 , C08G73/026 , C08G73/0273 , H01L51/0036 , H01L51/0545
Abstract: 一种包含由以下化学结构(I)表示的重复单元的芳基胺聚合物。在该化学结构中，Ar1、Ar3和Ar4独立地表示取代或未取代的二价芳烃基，Ar2表示取代或未取代的单价芳烃基，R1和R2独立地表示氢原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基或取代或未取代的烷基硫基，x和y独立地表示0到2的整数，和n表示0或1。
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公开(公告)号：CN102408546B
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201110272503.0
申请日：2011-09-08
Applicant: 株式会社理光
IPC: C08G61/12
CPC classification number: C08G61/124 , C08G2261/124 , C08G2261/148 , C08G2261/3241 , C08G2261/344 , C08G2261/411 , C08G2261/5222 , C09K11/06 , C09K2211/1466 , H01L51/0035 , H01L51/5012 , H05B33/14
Abstract: 包含化学结构1所示的重复单元的咔唑聚合物：化学结构1其中R表示脂肪族或脂环族双官能基团，Ar表示芳香烃或杂环双官能基团，以及Ar1表示芳香烃或杂环单官能基团。
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公开(公告)号：CN1923871A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200610126334.9
申请日：2006-08-30
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: C08G61/126 , C07D307/52 , C07D333/20 , C07D409/12 , C08G73/026 , C08G73/0273 , H01L51/0036 , H01L51/0545
Abstract: 一种包含由以下化学结构(I)表示的重复单元的芳基胺聚合物。在该化学结构中，Ar1、Ar3和Ar4独立地表示取代或未取代的二价芳烃基，Ar2表示取代或未取代的单价芳烃基，R1和R2独立地表示氢原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基或取代或未取代的烷基硫基，x和y独立地表示0到2的整数，和n表示0或1。
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公开(公告)号：CN101772529B
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN200880102194.9
申请日：2008-09-11
Applicant: 株式会社理光
IPC: C08G73/02 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30 , H05B33/14
CPC classification number: C08G73/0266 , C08G61/12 , C08G73/02 , C08G73/026 , C08G2261/3162 , C08G2261/3422 , C08G2261/90 , C09D11/102 , C09D179/02 , C09K11/06 , C09K2211/1416 , C09K2211/1425 , C09K2211/1433 , C09K2211/1458 , H01L51/0035 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H05B33/10 , H05B33/14
Abstract: 一种包含由通式(I)表示的重复单元的聚合物，其中Ar1表示取代或未取代的芳烃基团；Ar2和Ar3各自独立地表示取代或未取代的芳烃基团的二价基团；且R1和R2各自独立地表示氢原子、取代或未取代的烷基、或者取代或未取代的芳烃基团。通式(I)
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102408546A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201110272503.0
申请日：2011-09-08
Applicant: 株式会社理光
IPC: C08G61/12
CPC classification number: C08G61/124 , C08G2261/124 , C08G2261/148 , C08G2261/3241 , C08G2261/344 , C08G2261/411 , C08G2261/5222 , C09K11/06 , C09K2211/1466 , H01L51/0035 , H01L51/5012 , H05B33/14
Abstract: 包含化学结构1所示的重复单元的咔唑聚合物：化学结构1其中R表示脂肪族或脂环族双官能基团，Ar表示芳香烃或杂环双官能基团，以及Ar1表示芳香烃或杂环单官能基团。
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公开(公告)号：CN102376899B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201110226802.0
申请日：2011-08-04
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L51/52 , H01L51/54 , H01L27/32 , C07D409/14 , C07D209/86 , C07D209/88 , C07D209/82 , C07F7/10
CPC classification number: H01L51/0072 , H01L51/0035 , H01L51/0037 , H01L51/0068 , H01L51/0094 , H01L51/502 , H01L2251/308 , H05B33/14
Abstract: 本申请公开了发光器件，具有基底和提供覆于基底的发光层，该发光层包含配位结合或连接有咔唑衍生物的半导体纳米晶体，该咔唑衍生物具有化学结构1所示化合物的芳香环，该芳香环具有一至三个取代基：化学结构1其中Ar1和Ar2独立地表示取代的或未取代的芳基，其共享键以与苯环、杂环基和氢原子形成环，Ar3表示取代的或未取代的芳基，该一至三个取代基由化学结构2表示：-X-Y-Z化学结构2其中X表示亚甲基、羰氧基、氧羰基、羰基、氧原子和硫原子，Y表示取代的或未取代的亚烷基，Z表示羧基、羟基和硫醇基。
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公开(公告)号：CN105339376A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201480036797.9
申请日：2014-06-26
Applicant: 株式会社理光
Inventor： 井上满美子 , 佐佐木正臣 , 八代徹 , 油谷圭一郎 , 岡田吉智 , 金硕燦 , 髙桥裕幸 , 藤村浩 , 内城祯久 , 辻和明 , 平野成伸 , 匂坂俊也 , 山本论 , 后藤大辅 , 鹰氏启吾
IPC: C07F9/6512 , C09K9/02 , G02F1/15 , G09F9/30
CPC classification number: C07F9/65583 , C07D401/14 , C07F7/1804 , C09K9/02 , C09K2211/1007 , C09K2211/1029 , C09K2211/1044 , C09K2211/1059 , G02F1/15 , G02F1/155
Abstract: 电致变色化合物，由下列通式(I)表示：其中X1至X4每一个是由下列通式(II)表示的取代基、可包含官能团的烷基、可包含官能团的芳族烃基团、或氢原子，并且选自X1至X4的至少两个是由如下通式(II)表示的取代基：其中R1至R8每一个独立地是氢原子、或可包含取代基的单价基团；B是可包含官能团的取代或未取代的单价基团；A-是单价阴离子；和m是0至3中的任一个，并且在存在多个由通式(II)表示的取代基时，R1至R8、B和m每一个可独立地不同。
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公开(公告)号：CN101548231A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200880000777.0
申请日：2008-06-12
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: G11B7/251 , B33Y70/00 , B82Y10/00 , G11B7/2531 , G11B2007/24624
Abstract: 提供光敏复合材料以及利用所述光敏复合材料的材料、元件、装置等。在光敏复合材料中，多光子吸收化合物对于通过利用增强等离子体场的实际应用来说是高度敏化的。该光敏复合材料具有这样的结构，其中多光子吸收化合物通过连接基团连接到细金属颗粒的表面上。细金属颗粒产生与多光子激发波长共振的增强表面等离子体场。多光子吸收化合物具有能够进行多光子吸收的分子结构。光敏复合材料被包含于或者被用于例如三维存储材料和三维记录介质、光功率限制材料和光功率限制元件、光固化材料和立体平版印刷术系统以及多光子荧光显微镜用荧光材料和多光子荧光显微镜中。
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公开(公告)号：CN105339376B
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201480036797.9
申请日：2014-06-26
Applicant: 株式会社理光
Inventor： 井上满美子 , 佐佐木正臣 , 八代徹 , 油谷圭一郎 , 岡田吉智 , 金硕燦 , 髙桥裕幸 , 藤村浩 , 内城祯久 , 辻和明 , 平野成伸 , 匂坂俊也 , 山本论 , 后藤大辅 , 鹰氏启吾
IPC: C07F9/6512 , C09K9/02 , G02F1/15 , G09F9/30
CPC classification number: C07F9/65583 , C07D401/14 , C07F7/1804 , C09K9/02 , C09K2211/1007 , C09K2211/1029 , C09K2211/1044 , C09K2211/1059 , G02F1/15 , G02F1/155
Abstract: 电致变色化合物，由下列通式(I)表示：其中X1至X4每一个是由下列通式(II)表示的取代基、可包含官能团的烷基、可包含官能团的芳族烃基团、或氢原子，并且选自X1至X4的至少两个是由如下通式(II)表示的取代基：其中R1至R8每一个独立地是氢原子、或可包含取代基的单价基团；B是可包含官能团的取代或未取代的单价基团；A‑是单价阴离子；和m是0至3中的任一个，并且在存在多个由通式(II)表示的取代基时，R1至R8、B和m每一个可独立地不同。
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