公开(公告)号：CN109642307A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201780053763.4

申请日：2017-09-12

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 大野幸亮 ,  高桥明久 ,  白井雅纪 ,  小林大士

IPC: C23C14/02 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  C23C14/58 ,  G06F3/041 ,  H01B13/00

Abstract: 本发明的带透明导电膜的基板的制造方法为以与绝缘性的透明基板相接的方式配置透明导电膜的带透明导电膜的基板的制造方法，至少依次具备：步骤α，在设为希望的减压气氛的热处理空间中，将所述透明基板控制到规定的成膜前温度；步骤β，在设为希望的工艺气体气氛的成膜空间中，对成为所述透明导电膜的母材的靶施加溅射电压并进行溅射，在设为规定的温度的所述透明基板上形成所述透明导电膜；以及步骤γ，在大气气氛中，对形成在所述透明基板上的所述透明导电膜进行后加热处理，所述步骤α中的所述成膜前温度为零度以下。

公开(公告)号：CN107250959A

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201680010302.4

申请日：2016-03-11

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 须田具和 ,  高桥明久 ,  大野幸亮

IPC: G06F3/041 ,  B32B7/02 ,  H01B5/14

Abstract: 本发明的透明导电性基板具备透明基体与结构体，所述结构体在所述透明基体的一个面依次层叠金属膜、作为含有钼(Mo)的氧化膜的中间膜及透明导电膜而成。在所述结构体中，对于可见光区域的入射光的平均反射率为10％以下，或对于波长550nm的入射光的反射率为5％以下。

公开(公告)号：CN107250959B

公开(公告)日：2021-02-05

申请号：CN201680010302.4

申请日：2016-03-11

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 须田具和 ,  高桥明久 ,  大野幸亮

IPC: G06F3/041 ,  B32B7/02 ,  H01B5/14

Abstract: 本发明的透明导电性基板具备透明基体与结构体，所述结构体在所述透明基体的一个面依次层叠金属膜、作为含有钼(Mo)的氧化膜的中间膜及透明导电膜而成。在所述结构体中，对于可见光区域的入射光的平均反射率为10％以下，或对于波长550nm的入射光的反射率为5％以下。

公开(公告)号：CN109642307B

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201780053763.4

申请日：2017-09-12

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 大野幸亮 ,  高桥明久 ,  白井雅纪 ,  小林大士

IPC: C23C14/02 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  C23C14/58 ,  G06F3/041 ,  H01B13/00

Abstract: 本发明的带透明导电膜的基板的制造方法为以与绝缘性的透明基板相接的方式配置透明导电膜的带透明导电膜的基板的制造方法，至少依次具备：步骤α，在设为希望的减压气氛的热处理空间中，将所述透明基板控制到规定的成膜前温度；步骤β，在设为希望的工艺气体气氛的成膜空间中，对成为所述透明导电膜的母材的靶施加溅射电压并进行溅射，在设为规定的温度的所述透明基板上形成所述透明导电膜；以及步骤γ，在大气气氛中，对形成在所述透明基板上的所述透明导电膜进行后加热处理，所述步骤α中的所述成膜前温度为零度以下。