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公开(公告)号：CN118531356A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410067573.X
申请日：2024-01-16
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/24
Abstract: 本发明提供一种真空处理装置用的蒸发源，其即使在以较快的蒸镀速率进行蒸镀时，也能尽量抑制蒸镀舟皿的变形，使用寿命长。具备：蒸镀舟皿(3)，其具有舟皿主体(31)和分别从该舟皿主体两端伸出的电极安装板部(33)，所述舟皿主体具有蒸镀材料(Em)的收纳部(31a)；以及材料供给机构(6)，其对舟皿主体的收纳部从其上方供给线状的蒸镀材料(Em)；通过在两电极安装板部间通电，对舟皿主体进行加热，使收纳部内的蒸镀材料蒸发。设置支撑机构(8)，其与由蒸镀材料的供给带来的载荷所作用的、限定该收纳部的舟皿主体的底板部分从其下方抵接，支撑机构具有支撑板，所述支撑板采用其上端与舟皿主体的底板部分抵接的状态设置。
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公开(公告)号：CN118531355A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410065687.0
申请日：2024-01-16
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/24
Abstract: 本发明提供一种能够抑制局部过热而使寿命延长的真空处理装置用的蒸发源。具备蒸镀舟皿，其具有：舟皿主体(31)，其具有蒸镀材料(Em)的收纳部(31a)；立板部(32)，其从舟皿主体的一个方向两端分别向上方立起；以及蒸镀舟皿，其从两立板部的上端分别向外侧伸出。通过在两电极安装板部间通电，加热舟皿主体，使收纳部内的蒸镀材料蒸发。此时，在立板部上设置通电电流的分流路。
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公开(公告)号：CN102067266B
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN200980122380.3
申请日：2009-06-11
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C23C14/081 , H01J9/02 , H01J9/20
Abstract: 使保护膜的膜质稳定化。在一边搬送成膜对象物一边使金属氧化物蒸发时，一边对真空槽导入氧、和与氧相比大量的水，一边以静态成膜速度为40nm/秒以上的方式使金属氧化物蒸发。测定使金属氧化物蒸发时的发光强度，将该测定结果对加热装置（电子枪41）的输出进行反馈。因为发光强度与（111）强度等的膜质直接相关，所以能够对结晶取向性、膜密度、光学特性等的膜质良好的保护膜稳定地进行成膜。
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公开(公告)号：CN101454861B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN200780019870.1
申请日：2007-05-28
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: H01J9/20 , C23C14/0042 , C23C14/081 , C23C14/30 , H01J2209/012
Abstract: 提供填充率高的MgO膜。在真空槽(12)内配置蒸发源(23)，边导入氧气和气体的水，边照射电子射线(28)产生MgO蒸气。这时通过使水的导入量达到残留在真空槽内部的水分子数为导入真空槽的水分子数的2.99×10-1倍以上，可以得到(110)峰强度大的MgO膜。(110)优先取向的MgO膜，其填充率高并且气体释放速度慢，因此耐溅射性优异。
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公开(公告)号：CN101681759A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880017159.7
申请日：2008-05-30
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 一种向封接的第一基板(1)和第二基板(2)之间填充放电气体而成的等离子体面板的制造方法，其特征在于，具有：通过将形成有应对等离子体放电的保护膜的所述第一基板(1)在真空中或被控制的气氛中加热到280℃以上，使杂质气体从所述保护膜脱离的第一脱气工序；和抵接所述杂质气体从所述保护膜脱离的所述第一基板(1)与所述第二基板(2)并进行封接的封接工序。由于在使第一基板与第二基板抵接之前的排气传导量大的状态下使杂质气体从保护膜脱离，因此能够在短时间内进行净化。另外，由于将保护膜加热到280℃以上，能够脱离约70％的吸附在保护膜上的杂质气体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118621269A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410240938.4
申请日：2024-03-04
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明提供一种真空蒸镀方法，能够尽量抑制蒸镀舟皿上产生的局部变形的进行，延长蒸镀舟皿的使用寿命。包含蒸发工序，其使用蒸镀舟皿(3)，以与限定收纳部的舟皿主体的底板抵接的方式从其上方供给线状的蒸镀材料，通过在两电极安装板部间通电而加热舟皿主体，使收纳部内的蒸镀材料蒸发，其中，所述蒸镀舟皿具有：具有蒸镀材料(Em)的收纳部(31a)的作为蒸镀源(BS)的舟皿主体(31)；以及分别从舟皿主体的两端伸出的电极安装板部(33)。还包括移位工序，其在供给线状的蒸镀材料期间，通过与舟皿主体的底板抵接的线状的蒸镀材料的前端部(Em1)相对于舟皿主体的相对移动而使前端部连续或间歇地移位。
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公开(公告)号：CN115279937A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202080006518.X
申请日：2020-12-22
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明的薄膜制造装置为通过使成膜粒子附着到在能够密闭的腔室内移动的基板的一面来形成薄膜的装置，所述薄膜制造装置包括：等离子体发生部、基板移动部、成膜源供给部和成膜区域限定部。所述等离子体发生部包括：位于所述基板的另一面侧的磁铁；和用于向所述基板的一面附近供给成膜气体的气体供给部。所述成膜区域限定部具有遮蔽部，所述遮蔽部位于所述基板的一面附近且具有开口。所述遮蔽部的所述开口的直径尺寸与在所述等离子体发生部发生的等离子体的沿所述基板的一面的方向上的直径尺寸之比被设定在110/100以下的范围。
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公开(公告)号：CN101798673B
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201010116579.X
申请日：2010-02-10
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/24 , C23C14/58 , C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/56
Abstract: 本发明提供成膜方法、面板制造装置、退火装置，改善MgO保护膜的结晶取向强度分布。当将基板10的一边作为先头一面搬送一面对MgO膜进行成膜时，基板10的与先头呈直角的两边(两侧边)与两侧边之间的中央相比(111)结晶取向强度变低。当将退火用的加热器38分割为多根细长加热器38a，以基板10的两侧边与中央相比变为高温的方式进行加温时，两侧边的(111)结晶取向强度变高，(111)结晶取向强度的面内分布提高。
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公开(公告)号：CN107614738B
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201680030646.1
申请日：2016-05-27
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明形成具有期望的光学特性的光学薄膜。在使真空气氛中含有氧气，加热金属材料以使得放出蒸气，在被处理对象基材10上形成光学薄膜11时，根据预先求得的光学薄膜11的光学特性和氧气的流量、氧的分压值的关系，求用于获得期望的光学特性的流量值或分压值和膜厚值，按照求得的流量值或分压值来形成求得的膜厚值的光学薄膜11。如果在利用等离子体处理被蒸镀基材10的表面之后，形成光学薄膜11，那么能够在不使阻值降低的情况下，形成光密度的值大的光学薄膜11。
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公开(公告)号：CN107614738A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201680030646.1
申请日：2016-05-27
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明形成具有期望的光学特性的光学薄膜。在使真空气氛中含有氧气，加热金属材料以使得放出蒸气，在被处理对象基材10上形成光学薄膜11时，根据预先求得的光学薄膜11的光学特性和氧气的流量、氧的分压值的关系，求用于获得期望的光学特性的流量值或分压值和膜厚值，按照求得的流量值或分压值来形成求得的膜厚值的光学薄膜11。如果在利用等离子体处理被蒸镀基材10的表面之后，形成光学薄膜11，那么能够在不使阻值降低的情况下，形成光密度的值大的光学薄膜11。
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