公开(公告)号：CN1187034A

公开(公告)日：1998-07-08

申请号：CN96116770.X

申请日：1996-12-31

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 阿部吉晶 ,  河原隆彦 ,  并河康训 ,  鬼头范光 ,  浦原良一

IPC: H01L23/14

Abstract: 提供了一种半导体陶瓷,其冲击击穿电压很高,且几乎不层状开裂。在此具有正电阻－温度特性的半导体陶瓷中,如此设定一晶粒的晶粒内电阻与晶粒之间的晶粒间电阻(它们确定具有正电阻－温度特性半导体陶瓷电阻值)之比值,从而该晶粒内电阻小于半导体陶瓷电阻值的20%(不包括0%)。

公开(公告)号：CN1149665C

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN96116770.X

申请日：1996-12-31

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 阿部吉晶 ,  河原隆彦 ,  并河康训 ,  鬼头范光 ,  浦原良一

IPC: H01L23/14 ,  H01L23/15 ,  C04B35/46 ,  C04B35/00

Abstract: 提供了一种半导体陶瓷，其冲击击穿电压很高，且几乎不层状开裂。在此具有正电阻-温度特性的半导体陶瓷中，如此设定一晶粒的晶粒内电阻与晶粒之间的晶粒间电阻(它们确定具有正电阻-温度特性半导体陶瓷电阻值)之比值，从而该晶粒内电阻小于半导体陶瓷电阻值的20%(不包括0%)。