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公开(公告)号：CN110660794B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN201910566478.3
申请日：2019-06-27
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种在对电极焊盘施加了冲击时，能够抑制焊盘的正下方的电路元件因冲击而受到损伤的半导体装置。在基板上配置有被保护元件以及突出部。配置在基板上的绝缘膜覆盖突出部的至少侧面以及被保护元件。在绝缘膜上配置有外部连接用的电极焊盘。电极焊盘在俯视时与被保护元件以及突出部至少部分地重叠。从突出部的上表面到电极焊盘的高度方向的最大的间隔比从被保护元件的上表面到电极焊盘的高度方向的最大的间隔窄。
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公开(公告)号：CN112104332B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202010558348.8
申请日：2020-06-18
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03F3/21 , H03F3/68 , H03F3/19 , H03F1/30 , H01L23/367
Abstract: 本发明提供了能够提高散热特性的半导体元件和功率放大装置。半导体元件具有：半导体基板；第一放大器和第二放大器，被设置于半导体基板，在第一方向上相邻；第一基准电位凸块，被设置于半导体基板的主面，连接第一放大器和基准电位；第二基准电位凸块，被设置于半导体基板的主面，在第一方向上与第一基准电位凸块相邻，连接第二放大器和基准电位；以及矩形状凸块，被设置于半导体基板的主面，在俯视时，该矩形状凸块被设置于第一基准电位凸块与第二基准电位凸块之间，与第一方向正交的第二方向的第二宽度比第一方向的第一宽度大，矩形状凸块的第二宽度比第一基准电位凸块和第二基准电位凸块中的至少一方的第二方向的宽度大。
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公开(公告)号：CN110660794A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910566478.3
申请日：2019-06-27
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种在对电极焊盘施加了冲击时，能够抑制焊盘的正下方的电路元件因冲击而受到损伤的半导体装置。在基板上配置有被保护元件以及突出部。配置在基板上的绝缘膜覆盖突出部的至少侧面以及被保护元件。在绝缘膜上配置有外部连接用的电极焊盘。电极焊盘在俯视时与被保护元件以及突出部至少部分地重叠。从突出部的上表面到电极焊盘的高度方向的最大的间隔比从被保护元件的上表面到电极焊盘的高度方向的最大的间隔窄。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112104332A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010558348.8
申请日：2020-06-18
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03F3/21 , H03F3/68 , H03F3/19 , H03F1/30 , H01L23/367
Abstract: 本发明提供了能够提高散热特性的半导体元件和功率放大装置。半导体元件具有：半导体基板；第一放大器和第二放大器，被设置于半导体基板，在第一方向上相邻；第一基准电位凸块，被设置于半导体基板的主面，连接第一放大器和基准电位；第二基准电位凸块，被设置于半导体基板的主面，在第一方向上与第一基准电位凸块相邻，连接第二放大器和基准电位；以及矩形状凸块，被设置于半导体基板的主面，在俯视时，该矩形状凸块被设置于第一基准电位凸块与第二基准电位凸块之间，与第一方向正交的第二方向的第二宽度比第一方向的第一宽度大，矩形状凸块的第二宽度比第一基准电位凸块和第二基准电位凸块中的至少一方的第二方向的宽度大。
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公开(公告)号：CN110971199A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201910910847.6
申请日：2019-09-25
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种能够减少伴随着输出的上升的增益的降低的功率放大器。功率放大器具备：第1晶体管，对无线频率信号进行放大并输出；第2晶体管；第3晶体管，供给偏置电流；以及第1电压供给电路，第1二极管的温度越高，向第3晶体管的基极供给越低的电压，第3晶体管被配置成在第3晶体管与第1晶体管或者第2晶体管之间不夹设有其它电子元件，并且第3晶体管被配置成第3晶体管与第1晶体管之间的距离比第1电压供给电路与第1晶体管之间的距离小、或者第3晶体管与第2晶体管之间的距离比第1电压供给电路与第2晶体管之间的距离小。
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公开(公告)号：CN114628357A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202111516855.6
申请日：2021-12-13
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/528 , H01L23/66 , H03F3/19 , H03F3/21
Abstract: 本发明提供在包含元素半导体系的半导体元件和化合物半导体系的半导体元件的高频电路中，能够减少寄生电感的半导体装置。由元素半导体系的半导体元件构成的开关设置于第一部件。设置有包含化合物半导体系的半导体元件的高频电路的第二部件与第一部件接合。开关和高频电路通过路径连接。该路径包含由配置在从第二部件的表面到第一部件的表面的层间绝缘膜上的金属图案构成的部件间连接布线、或者使电流在与第一部件和第二部件接合的界面交叉的方向上流动的导电部件。
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公开(公告)号：CN210246699U
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201921257167.0
申请日：2019-08-05
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本实用新型提供一种功率放大模块，能够抑制稳定性受损。包含第1基板和至少一部分配置在与第1基板重叠的区域的第2基板。第2基板包含第1放大电路以及第2放大电路。第1基板包含：第1变压器，包含在一端被输入信号且另一端与基准电位电连接的初级绕组、和一端与第1放大电路的输入端子电连接且另一端与第2放大电路的输入端子电连接的次级绕组；第2变压器，包含一端与第1放大电路的输出端子电连接且另一端与第2放大电路的输出端子电连接的初级绕组、和从一端输出信号且另一端与基准电位电连接的次级绕组；和多个第1导体，成列地排列形成在第1变压器与第2变压器之间，各自从第1主面上的布线层到达基板的第2主面上的布线层。
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