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公开(公告)号：CN107735858A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201680035601.3
申请日：2016-06-15
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/02 , H01L21/301
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L23/02 , H01L23/10 , H01L24/94 , H01L2924/16235
Abstract: 减少切割时作用于密封框的应力。本发明所涉及的晶圆级封装具备：第一晶圆；第二晶圆，其与第一晶圆对置地设置；多个大致矩形的芯片，它们设置于第一晶圆和第二晶圆之间且阵列状地配置；多个密封框，它们隔开规定的间隔设置，并通过包围多个大致矩形的芯片的每一个来密封该芯片；以及连结部，其连结分别密封多个芯片中的角相互对置的芯片的密封框彼此。
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公开(公告)号：CN119768882A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202480003483.2
申请日：2024-02-05
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 电容器阵列(1)包括在平面方向上配置的多个电容器单元(1U)。电容器单元(1U)分别包含电容器元件(10)、第1贯通导体(20A)和第2贯通导体(20B)。电容器元件(10)包含第1电极层(例如阳极板11)、第2电极层(例如阴极层12)和电介质层(13)。第1电极层和第2电极层隔着电介质层(13)在与平面方向垂直的厚度方向上对置。第1贯通导体(20A)设于在厚度方向上贯通电容器元件(10)的第1贯通孔(50A)的至少内壁面，并且与第1电极层电连接。第2贯通导体(20B)设于在厚度方向上贯通电容器元件(10)的第2贯通孔(50B)的至少内壁面，并且与第2电极层电连接。在从电容器阵列(1)的厚度方向俯视时，电容器单元(1U)的面积、第1贯通孔(50A)的直径、第1贯通孔(50A)内的第1贯通导体(20A)的面积、第2贯通孔(50B)的直径、第2贯通孔(50B)内的第2贯通导体(20B)的面积以及第1贯通导体(20A)与第2贯通导体(20B)的中心间距离在电容器单元(1U)之间相等。在电容器单元(1U)的第1贯通孔(50A)内的第1贯通导体(20A)的面积为STH1，第2贯通孔(50B)内的第2贯通导体(20B)的面积为STH2，电容器阵列(1)所包含的电容器单元(1U)的总数为N时，在从满足下述的条件1～4中的全部条件的假想单元求出每一单元的静电容量Cunit的相对于第1贯通导体(20A)与第2贯通导体(20B)的中心间距离p的相关性的情况下，与对每一单元的静电容量Cunit取最大值时的与中心间距离p对应的假想单元的总数n乘以每一单元的静电容量Cunit的最大值而得到的假想的整体容量相比，电容器阵列(1)整体的静电容量中的与电容器单元(1U)的合计面积量的静电容量相当的实质的整体容量较大，条件1：电容器阵列(1)所包含的假想单元的总数为n，条件2：在从电容器阵列(1)的厚度方向俯视时，假想单元的面积、第1贯通孔的直径、第1贯通孔内的第1贯通导体的面积、第2贯通孔的直径、第2贯通孔内的第2贯通导体的面积以及第1贯通导体与第2贯通导体的中心间距离在假想单元之间相等，条件3：假想单元的第1贯通孔内的第1贯通导体的面积为sth1，第2贯通孔内的第2贯通导体的面积为sth2，条件4：(sth1+sth2)×n的值与(STH1+STH2)×N的值相等。
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公开(公告)号：CN107848789B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201680042091.2
申请日：2016-09-14
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种MEMS设备，能够防止金属从共晶接合的接合面溢出。该MEMS设备具备：具有在表面具有配线的元件的下侧基板，与元件对置而设置的上侧基板，以及在元件的周围将下侧基板与上侧基板接合的接合部；接合部具有从接近元件的部分到远离元件的部分连续地设置的第1区域、第2区域和第3区域，第1区域或第3区域中的至少任一个区域含有第1成分和第2成分中熔点高的一方的成分的过共晶合金，第2区域含有第1成分与第2成分的共晶合金。
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公开(公告)号：CN119631583A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202480003594.3
申请日：2024-02-27
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 电容器内置基板(1)包括：芯基板(100)，其在厚度方向(T)上设有开口(130)；电容器部件(200)，其设于芯基板(100)的开口(130)内；以及密封件(300)，其将芯基板(100)和电容器部件(200)密封，芯基板(100)具有设有开口(130)的基材(110)，电容器部件(200)具有：电容器主体(210)，其具有阳极层(220)、电介质层(230)和阴极层(240)，阳极层(220)具有芯部(221)，阴极层(240)在厚度方向(T)上隔着电介质层(230)而与阳极层(220)相对；贯通导体(260A(260B))，其设于在厚度方向(T)上至少贯通电容器主体(210)的贯通孔(261A(261B))的至少内壁面上；以及导体配线层(270A(270B))，其设于贯通导体(260A(260B))的在厚度方向(T)上相对的两端部上，密封件(300)在厚度方向(T)上具有：第1密封部(310)，其覆盖芯基板(100)和电容器部件(200)各自的一表面；以及第2密封部(320)，其覆盖芯基板(100)和电容器部件(200)各自的另一表面，芯基板(100)的一表面和电容器部件(200)的一表面存在于同一平面上，贯通孔(261A(261B))的第1密封部(310)侧的端部的直径R1a(R1b)比贯通孔(261A(261B))的第2密封部(320)侧的端部的直径R2a(R2b)大。
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公开(公告)号：CN107848789A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680042091.2
申请日：2016-09-14
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种MEMS设备，能够防止金属从共晶接合的接合面溢出。该MEMS设备具备：具有在表面具有配线的元件的下侧基板，与元件对置而设置的上侧基板，以及在元件的周围将下侧基板与上侧基板接合的接合部；接合部具有从接近元件的部分到远离元件的部分连续地设置的第1区域、第2区域和第3区域，第1区域或第3区域中的至少任一个区域含有第1成分和第2成分中熔点高的一方的成分的过共晶合金，第2区域含有第1成分与第2成分的共晶合金。
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公开(公告)号：CN119631582A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202480003564.2
申请日：2024-02-27
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 电容器内置基板(1)包括：芯基板(100)，其在厚度方向(T)上设有开口(130)；电容器部件(200)，其设于芯基板(100)的开口(130)内；以及密封件(300)，其将芯基板(100)和电容器部件(200)密封，芯基板100具有设有开口(130)的基材(110)，电容器部件(200)具有：电容器主体(210)，其具有阳极层(220)、电介质层(230)和阴极层(240)，阳极层(220)具有芯部(221)，阴极层(240)在厚度方向(T)上隔着电介质层(230)而与阳极层(220)相对；贯通导体(260A(260B))，其设于在厚度方向(T)上至少贯通电容器主体(210)的贯通孔(261A(261B))的至少内壁面上；以及导体配线层(270A(270B))，其设于贯通导体(260A(260B))的在厚度方向(T)上相对的两端部上，密封件(300)在厚度方向(T)上具有：第1密封部(310)，其覆盖芯基板(100)和电容器部件(200)各自的一表面；以及第2密封部(320)，其覆盖芯基板100和电容器部件200各自的另一表面，在厚度方向T上，从导体配线层(270A(270B))的第1密封部(310)侧的表面(P1a(P1b))到密封件(300)的第1密封部(310)侧的表面(Q1)的距离T1a(T1b)比从导体配线层(270A(270B))的第2密封部(320)侧的表面(P2a(P2b))到密封件(300)的第2密封部(320)侧的表面(Q2)的距离T2a(T2b)大，贯通孔261A(261B)的第1密封部(310)侧的端部的直径R1a(R1b)比贯通孔(261A(261B))的第2密封部(320)侧的端部的直径R2a(R2b)大。
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