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公开(公告)号：CN109155285A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201780030858.4
申请日：2017-06-09
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/822 , H01L27/04
Abstract: 在使用了沟道式电容器的电力用半导体中能够抑制因沿面放电引起的装置破坏。该电容器具备：基板；电容器形成区域，其在基板设置有一个以上的沟道；虚设区域，其在基板上位于电容器形成区域与该基板的端部之间；第一电极以及介电膜，它们至少覆盖电容器形成区域，且设置于一个以上的沟道的内部；第二电极，其覆盖电容器形成区域，电位与第一电极不同；以及延长部，其形成于虚设区域，在从第二电极起至基板的端部为止的路径相对于基板形成凹或凸。
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