公开(公告)号：CN104208864A

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201410240892.2

申请日：2014-05-30

Applicant: 株式会社普利司通 ,  普利司通运动株式会社

Inventor： 先纳义和 ,  高尾浩二 ,  近藤大辅 ,  松永英夫 ,  岩出浩正

IPC: A63B69/36 ,  A63B71/06

CPC classification number: G09B19/0038 ,  A61B5/6895 ,  G06K9/00342 ,  G06K9/00536 ,  G06T7/248 ,  G06T2207/10016 ,  G06T2207/10021 ,  G06T2207/30204 ,  G06T2207/30221

Abstract: 本发明提供一种高尔夫挥杆分类方法、装置和系统及球杆选择方法。该高尔夫挥杆分类方法能够优化高尔夫挥杆的选择。根据本发明的在高尔夫球杆撞击高尔夫球的情况下的高尔夫挥杆分类方法包括以下步骤：获取高尔夫挥杆期间的高尔夫球杆的至少一点或跟随该点的至少一点的加速度；以及基于从所述加速度的绝对值为最大值的时间点起直到高尔夫球杆撞击高尔夫球的时间点为止的时间段，来映射高尔夫球杆的行为。

公开(公告)号：CN102713028A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201180006102.9

申请日：2011-01-14

Applicant: 株式会社普利司通

Inventor： 关亘 ,  近藤大辅

IPC: C30B29/36 ,  C30B23/06

CPC classification number: C30B29/36 ,  C30B23/00 ,  C30B23/06

Abstract: 本发明提供一种碳化硅单晶体的制造装置。本发明的单晶体制造装置（1）包括坩埚（2），该坩埚（2）用于容纳含有碳化硅的晶种（11）和配设在与该晶种（11）相对一侧并用于上述晶种（11）的生长的升华用原料（10）。上述坩埚（2）包括：坩埚主体（7），其用于容纳上述升华用原料（10）；以及盖体（8），其供上述晶种（11）配设；上述盖体（8）的与上述晶种（11）的径向中央侧相对应的中央区域处的厚度（T1）设定为大于上述盖体（8）的与比上述晶种（11）的径向中央侧靠径向外侧处相对应的周边区域处的厚度（T2）。

公开(公告)号：CN102388170A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201080015739.X

申请日：2010-03-31

Applicant: 株式会社普利司通

Inventor： 关亘 ,  近藤大辅

IPC: C30B29/36

CPC classification number: C30B29/36 ,  C30B23/06

Abstract: 本发明提供一种碳化硅单晶的制造装置(1)，其包括石墨制反应容器(10)和加热构件，该石墨制反应容器(10)是其呈筒状形成的反应容器主体(11)的上部开口(11b)被盖体(12)封闭，该加热构件由连续卷绕在该石墨制反应容器(10)的外周侧的单一的加热线圈构成，在底部(11a)容纳升华用原料(50)，在反应容器的内表面侧(12a)安装晶种(60)。卷绕上述反应容器主体(11)的底部(11a)的下部线圈(31)和卷绕盖体(12)的上部线圈(32)的线圈间距(P1、P3)设定得小于卷绕反应容器主体(11)的高度方向上的中央部的中央部线圈(33)的线圈间距(P2)。

公开(公告)号：CN102459718A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201080025247.9

申请日：2010-04-23

Applicant: 株式会社普利司通

Inventor： 近藤大辅

IPC: C30B29/36

CPC classification number: C30B29/36 ,  C30B23/00

Abstract: 本发明提供一种碳化硅单晶的制造装置。本发明的单晶制造装置(1)包括：坩埚主体(5)，其用于收纳升华用原料；盖体(9)，其在与升华用原料相对的位置设有晶种支承部(7)；引导构件(11)，其自晶种支承部(7)的外周附近朝向升华用原料呈筒状延伸；以及绝热材料(21)，其配置在晶种支承部(7)及引导构件(11)中的至少任意一者的外周侧，并且其导热率设定为低于单晶(27)的导热率；在加热升华用原料(3)及晶种而使单晶(27)生长时，利用绝热材料(21)使自升华用原料(3)流向晶种的热量(H)的流动汇集到晶种处。