公开(公告)号：CN102419499A

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN201110294275.7

申请日：2011-09-27

Applicant: 株式会社日立显示器 ,  松下液晶显示器株式会社

Inventor： 安生健二 ,  大谷智彦

IPC: G02F1/1343 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

CPC classification number: G02F1/134336 ,  G02F1/134363 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/134318 ,  G02F2001/134372 ,  G02F2001/136231 ,  G02F2001/13629

Abstract: 本发明提供一种液晶显示装置。栅电极形成在TFT基板之上，覆盖该栅电极地形成栅极绝缘膜，在其上形成半导体层。漏电极和源电极配置在半导体层上。平面形状的像素电极形成在栅极绝缘膜之上。在形成漏电极、源电极、视频信号线等之前先形成像素电极，其后形成源电极等。由此在对ITO形成图案时，能够防止在ITO上存在气孔等时因经由显影液的电池作用而使视频信号线、漏电极、源电极等受侵蚀而引起断线。根据本发明，能够在减少层数的IPS方式的液晶显示装置中，防止视频信号线、漏电极、源电极的断线，提高制造成品率并提高可靠性。

公开(公告)号：CN102419499B

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201110294275.7

申请日：2011-09-27

Applicant: 株式会社日立显示器 ,  松下液晶显示器株式会社

Inventor： 安生健二 ,  大谷智彦

IPC: G02F1/1343 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

CPC classification number: G02F1/134336 ,  G02F1/134363 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/134318 ,  G02F2001/134372 ,  G02F2001/136231 ,  G02F2001/13629

Abstract: 本发明提供一种液晶显示装置。栅电极形成在TFT基板之上，覆盖该栅电极地形成栅极绝缘膜，在其上形成半导体层。漏电极和源电极配置在半导体层上。平面形状的像素电极形成在栅极绝缘膜之上。在形成漏电极、源电极、视频信号线等之前先形成像素电极，其后形成源电极等。由此在对ITO形成图案时，能够防止在ITO上存在气孔等时因经由显影液的电池作用而使视频信号线、漏电极、源电极等受侵蚀而引起断线。根据本发明，能够在减少层数的IPS方式的液晶显示装置中，防止视频信号线、漏电极、源电极的断线，提高制造成品率并提高可靠性。