公开(公告)号：CN102736298B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201210108792.5

申请日：2012-04-10

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 土屋健司 ,  羽泽荣作 ,  山本洋明

IPC: G02F1/1333 ,  G02F1/136 ,  G02F1/1343 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L29/66765 ,  G02F1/134363 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1259

Abstract: 本发明提供一种液晶显示装置的制造方法以及液晶显示装置，其能够减少层数、抑制制造成本并且抑制点亮异常而实现制造成品率的提高。在使用了具有像素部(a)和周边部(c)的基板的液晶显示装置的制造方法中，在栅极绝缘膜(3)上形成半导体层(4)和像素电极(5)之后，在基板上将导电膜在整个平面上形成，将光致抗蚀剂图案(photo resist pattern)作为掩模，形成对像素部(a)的半导体层(4)与像素电极(5)进行电连接的漏电极，并且使像素部(a)和周边部(c)中的半导体层(4)露出，将周边部的半导体层(4)用作蚀刻量的指标而对像素区域(a)的半导体层(4)进行蚀刻。

公开(公告)号：CN102736298A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210108792.5

申请日：2012-04-10

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 土屋健司 ,  羽泽荣作 ,  山本洋明

IPC: G02F1/1333 ,  G02F1/136 ,  G02F1/1343 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L29/66765 ,  G02F1/134363 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1259

Abstract: 本发明提供一种液晶显示装置的制造方法以及液晶显示装置，其能够减少层数、抑制制造成本并且抑制点亮异常而实现制造成品率的提高。在使用了具有像素部(a)和周边部(c)的基板的液晶显示装置的制造方法中，在栅极绝缘膜(3)上形成半导体层(4)和像素电极(5)之后，在基板上将导电膜在整个平面上形成，将光致抗蚀剂图案(photo resist pattern)作为掩模，形成对像素部(a)的半导体层(4)与像素电极(5)进行电连接的漏电极，并且使像素部(a)和周边部(c)中的半导体层(4)露出，将周边部的半导体层(4)用作蚀刻量的指标而对像素区域(a)的半导体层(4)进行蚀刻。