有机EL显示装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN101431147B

    公开(公告)日:2011-03-09

    申请号:CN200810172859.5

    申请日:2008-11-05

    CPC classification number: H01L51/5256 H01L51/524 H01L2251/5315

    Abstract: 本发明提供一种有机EL显示装置及其制造方法。在形成于电路板(101)上的电路形成部(102)之上形成有有机EL元件部(1000)。有机EL元件部(1000)由包含SiNxOy膜的保护层(113)覆盖。SiNxOy的Si-O-Si伸缩振动吸收峰值在比1000cm-1更低能量一侧存在,在约870cm-1附近存在的Si-N伸缩振动吸收峰值的吸收强度是Si-O-Si伸缩振动吸收峰值的吸收强度的0.75倍以上;具有如下的红外吸收特性,即在2000~4000cm-1区域的吸收峰值的强度是Si-N伸缩振动吸收峰值的吸收强度的5%以下。据此,能取得具有优异的水分阻止特性的保护膜,能提高有机EL显示装置的寿命特性。

    有机EL显示装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN101431147A

    公开(公告)日:2009-05-13

    申请号:CN200810172859.5

    申请日:2008-11-05

    CPC classification number: H01L51/5256 H01L51/524 H01L2251/5315

    Abstract: 本发明提供一种有机EL显示装置及其制造方法。在形成于电路板(101)上的电路形成部(102)之上形成有有机EL元件部(1000)。有机EL元件部(1000)由包含SiNxOy膜的保护层(113)覆盖。SiNxOy的Si-O-Si伸缩振动吸收峰值在比1000cm-1更低能量一侧存在,在约870cm-1附近存在的Si-N伸缩振动吸收峰值的吸收强度是Si-O-Si伸缩振动吸收峰值的吸收强度的0.75倍以上;具有如下的红外吸收特性,即在2000~4000cm-1区域的吸收峰值的强度是Si-N伸缩振动吸收峰值的吸收强度的5%以下。据此,能取得具有优异的水分阻止特性的保护膜,能提高有机EL显示装置的寿命特性。

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