公开(公告)号：CN108074845A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201711146022.9

申请日：2017-11-17

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 丸林哲也 ,  村田慧 ,  高木康佑 ,  平野敦士 ,  山田清明 ,  森川晴夫

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/45578 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45502 ,  C23C16/458 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/52 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67309 ,  H01L21/67757 ,  H01L21/67769 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/31

Abstract: 本发明涉及基板处理装置、反应管以及半导体装置的制造方法，尤其提供增大晶圆面内的气体流速的结构。提供具备反应管的结构，该反应管构成对基板进行处理的处理室，且具有：气体导入部，其设置在反应管下部，并导入处理气体；缓冲部，其构成反应管侧面的一端，使处理气体暂时滞留并且设置有向处理室供给处理气体的开口部；连结部，其设置在气体导入部与缓冲部之间，并从气体导入部连通至缓冲部；以及气体排放部，其构成反应管侧面的另一端的下端部，并从处理室排出处理气体，反应管构成为从开口部向处理室导入并经由处理室而从气体排放部排出处理气体，其中开口部设置在从缓冲部的上端部到与气体排放部对置的位置。

公开(公告)号：CN107210218A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201680006272.X

申请日：2016-01-26

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 山崎惠信 ,  村田慧 ,  森田慎也

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/42 ,  C23C16/44 ,  H01L21/02 ,  H01L21/318

Abstract: 课题在于抑制炉口部周围的副产物的附着。具有：反应管，其在内部具有处理衬底的衬底处理区域；以及炉口部，其配置于反应管的下部，反应管具有：突出部，其向反应管的下方的外周侧突出；以及延伸部，其从反应管的下端向下方延伸，比与衬底处理区域对应的位置处的反应管的厚度形成得更厚，覆盖炉口部的内周面。

公开(公告)号：CN304380764S

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201730127927.6

申请日：2017-04-17

Applicant: 株式会社日立国际电气 ,  东邦化成株式会社

Designer： 村田慧 ,  森田慎也 ,  铃木正志

Abstract: 1．本外观设计产品的名称：半导体制造装置用密封材料。
2．本外观设计产品的用途：本产品为一种密封材料，其用于密封半导体制造装置的基板处理空间内的气体，使弯曲半径较小的尖端侧与既定部件接触，可以将两个部件进行密封。
3．本外观设计产品的设计要点：本外观设计产品的形状。
4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：主视图。