公开(公告)号：CN1174406A

公开(公告)日：1998-02-25

申请号：CN97117377.X

申请日：1997-08-12

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  株式会社日立微计算机系统

Inventor： 桥本直孝 ,  竹田敏文 ,  佐佐木恭 ,  松井俊一 ,  三浦弥一郎

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/08

CPC classification number: H01L27/11526 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/7684 ,  H01L27/105 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/11531

Abstract: 为防止存储单元MISFET栅极上导电膜图形化时因过刻蚀而引起外围电路栅极氧化膜的削减,在半导体衬底1主面的存储单元上形成闪速存储器的浮置栅极导电层图形50a之后,在半导体衬底1主面的存储单元和外围电路上形成膜厚(b)比导电层图形50a与栅极氧化膜42之间的台阶高度(a)还大的多晶硅膜52。之后,用CMP法使多晶硅膜52平坦化以消除导电层图形50a上部的多晶硅膜52与栅极氧化膜31,42的上部的多晶硅膜52之间的台阶。