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公开(公告)号:CN1249536A
公开(公告)日:2000-04-05
申请号:CN99111981.9
申请日:1999-08-06
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立超大规模集成电路系统株式会社 , 日立北海半导体株式会社
IPC: H01L23/50
CPC classification number: H01L24/32 , H01L23/4334 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L2224/05554 , H01L2224/29007 , H01L2224/32014 , H01L2224/32055 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/484 , H01L2224/48599 , H01L2224/49171 , H01L2224/49431 , H01L2224/49433 , H01L2224/73265 , H01L2224/85385 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/0132 , H01L2924/10162 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/01026 , H01L2924/00012 , H01L2924/3512 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
Abstract: 半导体器件中,内引线的尖端固定于热辐射板,可使热辐射板得到支持并免去悬置引线。与半导体芯片连接的内引线的尖端具有引线间距p、引线宽度w和引线厚度t,其间的关系为w
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公开(公告)号:CN1227734C
公开(公告)日:2005-11-16
申请号:CN99111981.9
申请日:1999-08-06
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立超大规模集成电路系统株式会社 , 日立北海半导体株式会社
IPC: H01L23/50
CPC classification number: H01L24/32 , H01L23/4334 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L2224/05554 , H01L2224/29007 , H01L2224/32014 , H01L2224/32055 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/484 , H01L2224/48599 , H01L2224/49171 , H01L2224/49431 , H01L2224/49433 , H01L2224/73265 , H01L2224/85385 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/0132 , H01L2924/10162 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/01026 , H01L2924/00012 , H01L2924/3512 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
Abstract: 半导体器件中,内引线的尖端固定于热辐射板,可使热辐射板得到支持并免去悬置引线。与半导体芯片连接的内引线的尖端具有引线间距p、引线宽度w和引线厚度t,其间的关系为w<t和p≤1.2t。热辐射板具有在径向方向上形成有从热辐射板上的半导体芯片安装区向内引线辐射热量的传热通路的缝隙。采用模塑件密封的半导体器件中,半导体芯片固定于热辐射板上,内引线尖端厚度t′比固定于热辐射板上的内引线其他部分的厚度t薄。
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