公开(公告)号：CN1702770B

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN200510073928.3

申请日：2005-05-25

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  日立超大规模集成电路系统株式会社

Inventor： 小原忠博 ,  长谷川雅俊 ,  田中洋介 ,  帆加利知史 ,  田岛贤一

IPC: G11C11/409 ,  G11C11/4091 ,  H01L27/108

CPC classification number: G11C7/12 ,  G11C2207/005 ,  H01L27/105 ,  H01L27/10897

Abstract: 本发明公开了一种半导体集成电路装置。提供实现了动作的高速化和低功耗化的DRAM。在CMOS读出放大器的一对输入输出节点上设置一对提供预充电电压的预充电MOSFET，使上述一对输入输出节点经由选择开关MOSFET与互补位线对连接，在上述互补位线对之间设置使其均衡的第1均衡MOSFET，在上述互补位线对的一方和与之交叉的字线之间设置存储单元，以第1膜厚形成上述选择开关MOSFET及第1均衡MOSFET的栅极绝缘膜，以比上述第1膜厚薄的第2膜厚形成上述预充电MOSFET的栅极绝缘膜，给上述预充电MOSFET提供与电源电压相对应的预充电信号，给上述第1均衡MOSFET及选择开关MOSFET提供与升压电压相对应的均衡信号及选择信号。

公开(公告)号：CN1702770A

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN200510073928.3

申请日：2005-05-25

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  日立超大规模集成电路系统株式会社

Inventor： 小原忠博 ,  长谷川雅俊 ,  田中洋介 ,  帆加利知史 ,  田岛贤一

IPC: G11C11/409 ,  G11C11/4091 ,  H01L27/108

CPC classification number: G11C7/12 ,  G11C2207/005 ,  H01L27/105 ,  H01L27/10897

Abstract: 本发明公开了一种半导体集成电路装置。提供实现了动作的高速化和低功耗化的DRAM。在CMOS读出放大器的一对输入输出节点上设置一对提供预充电电压的预充电MOSFET，使上述一对输入输出节点经由选择开关MOSFET与互补位线对连接，在上述互补位线对之间设置使其均衡的第1均衡MOSFET，在上述互补位线对的一方和与之交叉的字线之间设置存储单元，以第1膜厚形成上述选择开关MOSFET及第1均衡MOSFET的栅极绝缘膜，以比上述第1膜厚薄的第2膜厚形成上述预充电MOSFET的栅极绝缘膜，给上述预充电MOSFET提供与电源电压相对应的预充电信号，给上述第1均衡MOSFET及选择开关MOSFET提供与升压电压相对应的均衡信号及选择信号。