能预激励的升压电路器件和半导体存储器

    公开(公告)号:CN1034373C

    公开(公告)日:1997-03-26

    申请号:CN94104668.0

    申请日:1994-04-25

    Inventor: 前田敏夫

    CPC classification number: H03K3/356113 G11C11/4085

    Abstract: 一种设有升压电路器件的动态随机存取存储器,能响应读指令信号依次读出数据。该升压电路器件具有能用第1电源以第1电压操作并响应控制时钟信号的激励电路,用来以高于第1电压的提升了的第2电压产生第2电源。设有产生单脉冲的单发脉冲发生器,由此产生包含在控制时钟信号中的预激励脉冲。控制时钟信号包括预激励脉冲和跟随预激励脉冲的多个时钟脉冲,故在依次的数据读出前由预激励脉冲将第2电压提升到高于第1电压。

    动态随机存取存储器
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1094840A

    公开(公告)日:1994-11-09

    申请号:CN94101103.8

    申请日:1994-01-18

    Inventor: 前田敏夫

    Abstract: 一种在一个半导体基片上形成的半导体集成电路器件,包括多个动态存储器单元和一个振荡电路,该振荡电路用来对每个所述动态存储器单元进行刷新操作,其中:所述半导体集成电路器件具有一个控制装置,该装置用来在供给所述半导体集成电路的电压发生变化时控制所述刷新操作的刷新周期,使所述刷新周期产生变化。

    能预激励的升压电路器件和半导体存储器

    公开(公告)号:CN1095189A

    公开(公告)日:1994-11-16

    申请号:CN94104668.0

    申请日:1994-04-25

    Inventor: 前田敏夫

    CPC classification number: H03K3/356113 G11C11/4085

    Abstract: 一种设有升压电路器件的动态随机存取存储器,能响应读指令信号依次读出数据。该升压电路器件具有能用第1电源以第1电压操作并响应控制时钟信号的激励电路,用来以高于第1电压的提升了的第2电压产生第2电源。设有产生单脉冲的单发脉冲发生器,由此产生包含在控制时钟信号中的预激励脉冲。控制时钟信号包括预激励脉冲和跟随预激励脉冲的多个时钟脉冲,故在依次的数据读出前由预激励脉冲将第2电压提升到高于第1电压。

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