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公开(公告)号：CN1123956A
公开(公告)日：1996-06-05
申请号：CN95106069.4
申请日：1995-05-12
Applicant: 株式会社日立制作所
Inventor： 铃木尔 , 奥山幸祐 , 竹田敏文 , 久保田胜彦
IPC: H01L21/82
Abstract: 当对具有耐熔件的FPGA(现场可编程门阵列)进行编程时，每个耐熔件都由依在半导体基片的主表面上的次序顺序构成的TiW下电极、非晶硅构成的绝缘薄膜以及TiW上电极构成，将DC电压加在用于编程的耐熔件上，然后将AC电压加在耐熔件上，以便AC电流通过耐熔件，使得耐熔件的导通部分的机械强度提高。
