公开(公告)号：CN1209792C

公开(公告)日：2005-07-06

申请号：CN00810925.7

申请日：2000-06-23

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 木村嘉伸 ,  贺茂尚广 ,  金子好之

IPC: H01L21/20 ,  H01L29/786

Abstract: 一种通过在绝缘衬底的表面上形成非晶半导体膜、然后用激光束照射非晶半导体使非晶半导体膜结晶、从而形成多晶半导体薄膜、然后在多晶半导体薄膜中形成晶体管的制造半导体器件的方法，其特征在于，将UV射线照射到绝缘衬底的背面和非晶半导体膜以将非晶半导体膜加热到熔融温度或更低的温度，以形成大多数具有数字6的最接近晶粒的晶粒的适当的形状选择激光能量密度Ec照射非晶半导体的表面，将其转化为多晶半导体薄膜，然后在多晶半导体薄膜中形成晶体管。可以制造能高速运行的高生产率的薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN1365513A

公开(公告)日：2002-08-21

申请号：CN00810925.7

申请日：2000-06-23

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 木村嘉伸 ,  贺茂尚广 ,  金子好之

IPC: H01L21/20 ,  H01L29/786

Abstract: 一种通过在绝缘衬底的表面上形成非晶半导体膜、然后用激光束照射非晶半导体使非晶半导体膜结晶、从而形成多晶半导体薄膜、然后在多晶半导体薄膜中形成晶体管的制造半导体器件的方法,其特征在于,将UV射线照射到绝缘衬底的背面和非晶半导体膜以将非晶半导体膜加热到熔融温度或更低的温度,以形成大多数具有数字6的最接近晶粒的晶粒的适当的形状选择激光能量密度Ec照射非晶半导体的表面,将其转化为多晶半导体薄膜,然后在多晶半导体薄膜中形成晶体管。可以制造能高速运行的高生产率的薄膜晶体管。