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公开(公告)号：CN1258791C
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN02119225.1
申请日：2002-03-20
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01H33/664
CPC classification number: H01H33/664 , H01H1/0206 , H01H11/048 , H01H33/6643
Abstract: 电极(1)的电极本体(1a)具有孔隙率，使从电极本体(1a)的电接触面(4a)到规定深度范围的导电率大于电极本体(1a)断面的导电率或从背面(4b)到规定深度的导电率，可提高断路器的断路性能，同时防止电极本体(1a)的电接触面(4a)劣化。
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公开(公告)号：CN1061165C
公开(公告)日：2001-01-24
申请号：CN94108299.7
申请日：1994-07-13
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01H33/664 , B22F3/26 , B22F2998/00 , C22C1/045 , C22C9/00 , H01H1/0203 , H01H11/041 , H01H33/596 , H01H33/666 , C22C26/00
Abstract: 一种高可靠性的真空断路器，和制造其电极的方法，以及采用这一电极的真空管。该真空断路器具有一固定电极和一动电极，每个由一弧电极、一弧电极支撑件、以及一个邻接该弧电极支撑件的线圈电极组成，弧电极、弧电极支撑件和线圈电极用熔接，而不用焊接来形成一整体结构，特别是，弧电极支撑件和线圈电极用含Cr、Ag、W、V和Zr中至少一种的占重量0.05-2.5%的Cu合金制成。
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公开(公告)号：CN1397970A
公开(公告)日：2003-02-19
申请号：CN02119225.1
申请日：2002-03-20
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01H33/664
CPC classification number: H01H33/664 , H01H1/0206 , H01H11/048 , H01H33/6643
Abstract: 电极1的电极本体1a具有孔隙率，使从电极本体1a的电接触面4a到规定深度范围的导电率大于电极本体1a断面的导电率或从背面4b到规定深度的导电率，可提高断路器的断路性能，同时防止电极本体1a的电接触面4a劣化。
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公开(公告)号：CN1518028A
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN200410000327.5
申请日：2004-01-07
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01H33/66
CPC classification number: H01H1/0203 , H01H33/6683
Abstract: 本发明的目的是提供一种制造容易、对环境的影响小、截断电流值小的低冲击型的电接点，和它的制造方法以及使用它的真空阀及真空断路器。本发明是具有高导电性金属和由金属氮化物或金属氧化物构成的耐火性成分的电接点。作为高导电性金属用Ag或Cu或者以它们为主的合金，金属氮化物用Mg3N2、AlN、TiN、ZrN、CrN、Cr2N、NbN、BN及Si3N4，金属氧化物用MgO、Al2O3、TiO2、Ti2O3、ZrO2、ThO2、Cr2O3、Nb2O5、Y2O3及ZnO的一种或2种或2种以上的混合物，可以确保良好的导电性能。
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公开(公告)号：CN1102502A
公开(公告)日：1995-05-10
申请号：CN94108299.7
申请日：1994-07-13
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01H33/664 , B22F3/26 , B22F2998/00 , C22C1/045 , C22C9/00 , H01H1/0203 , H01H11/041 , H01H33/596 , H01H33/666 , C22C26/00
Abstract: 一种高强度的高可靠性的电极，和制造该电极的方法，以及采用这一电极的真空管和采用这一真空管的真空断路器。该真空断路器具有一固定电极和一动电极，每个由一弧电极、一弧电极支撑件、以及一个邻接该弧电极支撑件的线圈电极组成，弧电极、弧电极支撑件和线圈电极用熔化，而不用连接来形成一整体结构，特别是，弧电极支撑件和线圈电极用含Cr、Ag、W、V和Zr中至少一种的占重量0.05—2.5％的Cr合金制成。
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