功率半导体开关元件的保护装置以及保护方法

    公开(公告)号:CN102656763A

    公开(公告)日:2012-09-05

    申请号:CN201080056700.2

    申请日:2010-11-30

    CPC classification number: H02M1/32

    Abstract: 一种在高电压下利用的IGBT等半导体开关元件的短路保护装置,即使不存在电流传感用的开关元件,也能简单且误动作的可能性较小地检测短路状态,保护半导体开关元件防止受到破坏。通过对集电极侧的电压采用高电阻(2)和检测用的电阻(3、4)进行分压,来将导通中的IGBT(1)的电流的大小检测为电压信息,根据该电压值来推定IGBT(1)中的功率损耗,并推定基于该功率损耗的发热量,在推定发热量超过了规定值时,按照逐渐减小栅极信号电压的方式进行限制来保护IGBT(1)。

    电磁操作装置
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1725407A

    公开(公告)日:2006-01-25

    申请号:CN200510084204.9

    申请日:2005-07-15

    CPC classification number: H01H33/6662 H01H33/022 H01H2033/6667

    Abstract: 本发明涉及一种抑制与三相的真空阀向对应的各主轴动作的差异、并实现三相之间的同步的电磁操作装置。其具有与三相的各相的真空阀(1)成对地设置的电磁操作器(4),并具有能按每一相动作的主轴(2)以及与各主轴的动作相连并取得三相之间的动作同步的三相连接轴(3)。电磁操作器(4)的杆(44)在支点(46)与主轴(2)的叶片(45)相连,三相连接轴(3)的叶片(47)用连接部(7)与主轴(2)的叶片(45)连接。最初动作的主轴(2)的动作通过连接轴(3)被传递到其他主轴,并取得三相之间的同步。

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