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公开(公告)号：CN102136490A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201010580092.7
申请日：2010-12-02
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/423 , H02M7/48
CPC classification number: H01L29/7395 , H01L21/2815 , H01L29/0607 , H01L29/0611 , H01L29/0615 , H01L29/0619 , H01L29/0623 , H01L29/0646 , H01L29/0657 , H01L29/0847 , H01L29/1095 , H01L29/404 , H01L29/407 , H01L29/41741 , H01L29/41766 , H01L29/4236 , H01L29/42376 , H01L29/66348 , H01L29/7397
Abstract: 本发明的课题是提供一种半导体装置以及使用它的电力变换装置，能够保持低损失和高耐压，同时能够提高接通期间中的dv/dt的基于栅极驱动电路的控制性。为解决上述课题，在宽度宽的沟槽(423)的侧壁上设置栅极(401)，由此，因为栅极(401)被栅极绝缘膜(402)和成为层间膜的厚的绝缘膜(403)覆盖，所以栅极的寄生电容小，而且没有浮动p层，因此栅极的电位不变动，能够提高dv/dt的控制性，能够同时兼顾低损失和低噪声。
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公开(公告)号：CN102136490B
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201010580092.7
申请日：2010-12-02
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/423 , H02M7/48
CPC classification number: H01L29/7395 , H01L21/2815 , H01L29/0607 , H01L29/0611 , H01L29/0615 , H01L29/0619 , H01L29/0623 , H01L29/0646 , H01L29/0657 , H01L29/0847 , H01L29/1095 , H01L29/404 , H01L29/407 , H01L29/41741 , H01L29/41766 , H01L29/4236 , H01L29/42376 , H01L29/66348 , H01L29/7397
Abstract: 本发明的课题是提供一种半导体装置以及使用它的电力变换装置，能够保持低损失和高耐压，同时能够提高接通期间中的dv/dt的基于栅极驱动电路的控制性。为解决上述课题，在宽度宽的沟槽(423)的侧壁上设置栅极(401)，由此，因为栅极(401)被栅极绝缘膜(402)和成为层间膜的厚的绝缘膜(403)覆盖，所以栅极的寄生电容小，而且没有浮动p层，因此栅极的电位不变动，能够提高dv/dt的控制性，能够同时兼顾低损失和低噪声。
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公开(公告)号：CN101308872B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200810099156.4
申请日：2008-05-14
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7397 , H01L29/1095 , H01L29/66348
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，可以不损失耐压，实现低损失化。在第二导电型的第三半导体区域(110)的一部分中设置有第一导电型的第四半导体区域(122)。由此，提高了将第五半导体区域(151)的面载流子浓度增大时的耐压。
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公开(公告)号：CN101308872A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200810099156.4
申请日：2008-05-14
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7397 , H01L29/1095 , H01L29/66348
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，可以不损失耐压，实现低损失化。在第二导电型的第三半导体区域(110)的一部分中设置有第一导电型的第四半导体区域(122)。由此，提高了将第五半导体区域(151)的面载流子浓度增大时的耐压。
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