公开(公告)号：CN1216862A

公开(公告)日：1999-05-19

申请号：CN98123833.5

申请日：1998-11-04

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 山口宪 ,  木村绅一郎 ,  堀内胜忠 ,  手嶋达也

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8242 ,  G11C11/34

CPC classification number: H01L27/10808 ,  H01L27/10873

Abstract: 在如DRAM的半导体存储器件中,在隔离绝缘膜1.2的边缘部分上分布有导电薄膜1.11’,所述隔离绝缘膜与半导体衬底1.1相对,中间是薄的绝缘膜。该导电薄膜1.11’电连于存储电容器的下电极1.11。该新颖结构可以独立于冶金pn结的位置来控制电学性pn结的位置。从而实现了数据保留时间长、有效抑制漏泄电流的半导体存储器件。

公开(公告)号：CN1137518C

公开(公告)日：2004-02-04

申请号：CN98123833.5

申请日：1998-11-04

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 山口宪 ,  木村绅一郎 ,  堀内胜忠 ,  手嶋达也

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8242 ,  G11C11/34

CPC classification number: H01L27/10808 ,  H01L27/10873

Abstract: 在如DRAM的半导体存储器件中，在隔离绝缘膜1.2的边缘部分上分布有导电薄膜1.11’，所述隔离绝缘膜与半导体衬底1.1相对，中间是薄的绝缘膜。该导电薄膜1.11’电连于存储电容器的下电极1.11。该新颖结构可以独立于冶金pn结的位置来控制电学性pn结的位置。从而实现了数据保留时间长、有效抑制漏泄电流的半导体存储器件。