公开(公告)号：CN102646723A

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201210023895.1

申请日：2012-02-03

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 寺川武士 ,  松吉聪 ,  成田一丰 ,  森睦宏

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H02K11/00

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L24/01 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/8611 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种能够提高可靠性的半导体装置、使用了该半导体装置的回转电机或使用了该半导体装置的车辆。为了解决上述的课题，本发明涉及的半导体装置中具备肖特基结和pn结，该半导体装置的特征在于，所述pn结设置在整流区域和护圈部，所述整流区域的pn结部的击穿电压比所述肖特基结及所述护圈部的pn结低。