公开(公告)号：CN1494060A

公开(公告)日：2004-05-05

申请号：CN03102236.7

申请日：2003-01-30

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 新谷拓 ,  渡边克朗 ,  幡谷昌彦 ,  楠川喜久雄

IPC: G11B5/39 ,  H01L43/08

CPC classification number: G11B5/3912 ,  G01R33/09 ,  G11B5/3903 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明是关于重放磁记录信息的磁传感器及其制造方法，以及搭载该传感器的磁记录重放装置。其目的是抑制巴克豪森噪音的发生。它是在纵向偏磁施加层和上部磁屏蔽层之间，或者，纵向偏磁施加层、上部磁屏蔽层和磁阻效应膜之间，插入至少含有非磁性金属层的隔离层，使纵向偏磁施加层和磁阻效应膜的自由层最短距离，大于纵向偏磁施加层和上部磁屏蔽层间的最短距离。由此，由纵向偏磁施加层进行磁阻效应膜的自由层中的磁通量大于被上部磁屏蔽层吸收的磁通量，从而可获得能抑制巴克豪森噪音的磁传感器。