公开(公告)号：CN1003962B

公开(公告)日：1989-04-19

申请号：CN85104133

申请日：1985-05-30

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 前岛英雄 ,  堀田多加志 ,  增田郁朗 ,  岩村将弘 ,  栗田公三郎 ,  上野雅弘

IPC: G06F7/50

CPC classification number: G06F7/508 ,  G06F5/015 ,  G06F13/4077 ,  G06F15/7832 ,  G06F2207/3872

Abstract: 在一个至少含有一组寄存器和一个算术运算电路的算术运算器中，混合使用双极型晶体管和场效应管。

公开(公告)号：CN1258406A

公开(公告)日：2000-06-28

申请号：CN98805571.6

申请日：1998-03-30

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 小嶋康行 ,  大内贵之 ,  秋山登 ,  岩村将弘 ,  渡边笃雄 ,  根本峰弘 ,  行武正刚 ,  金川信康

IPC: H04L25/02 ,  H04M11/00 ,  H01L27/12

CPC classification number: H04L25/0266 ,  H01L2924/19106 ,  H04L25/028 ,  H04L25/0292 ,  H04M11/06

Abstract: 通过在SOI基板上形成具有容性绝缘壁的绝缘耦合器以及利用DSP动作时钟,获取DSP、AFE和绝缘耦合器的时序的同步,使线路接口电路单片化。由此,可以实现小型、经济的调制解调器装置。

公开(公告)号：CN1019697B

公开(公告)日：1992-12-30

申请号：CN89101327.X

申请日：1985-05-30

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 前岛英雄 ,  堀田多加志 ,  增田郁朗 ,  岩村将弘 ,  栗田公三郎 ,  上野雅弘

IPC: G06F7/48 ,  H03K19/094

CPC classification number: G06F7/508 ,  G06F5/015 ,  G06F13/4077 ,  G06F15/7832 ,  G06F2207/3872

Abstract: 在一个至少含有一组寄存器和一个算术运算电路的算术运算器中，混合使用双极晶体管和场效应管。

公开(公告)号：CN100511673C

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200480001863.5

申请日：2004-02-13

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 高桥可昌 ,  樱井直树 ,  由良昌士 ,  岩村将弘 ,  森睦宏

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H02M7/538

CPC classification number: H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48139 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明将能够对应高输出(大电流)化、高电压化以及低损耗化等的要求，并且可以提供小型、低成本、可靠性高的半导体元件驱动用集成电路以及搭载该电路的电能变换装置作为课题。为了解决该课题，将构成上支路驱动电路(212)的驱动部、包括电流检测电路(210)的电平移位电路(20)、下支路驱动电路(222)的驱动部及驱动信号处理电路(224)的电路元件集成、组入一个耐高压IC芯片(200)中，构成上支路驱动电路(212)的最终输出段缓冲部(213)的电路元件组入纵型构造的p沟道MOS-FET芯片(213p)和纵型构造的n沟道MOS-FET芯片(213n)中，构成下支路驱动电路(222)的最终输出段缓冲部(223)的电路元件组入纵型构造的p沟道MOS-FET芯片(223p)和纵型构造的n沟道MOS-FET芯片(223n)中以构成驱动器IC(2)。

公开(公告)号：CN1723559A

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN200480001863.5

申请日：2004-02-13

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 高桥可昌 ,  樱井直树 ,  由良昌士 ,  岩村将弘 ,  森睦宏

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H02M7/538

CPC classification number: H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48139 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明将能够对应高输出(大电流)化、高电压化以及低损耗化等的要求，并且可以提供小型、低成本、可靠性高的半导体元件驱动用集成电路以及搭载该电路的电能变换装置作为课题。为了解决该课题，将构成上支路驱动电路(212)的驱动部、包括电流检测电路(210)的电平移位电路(20)、下支路驱动电路(222)的驱动部及驱动信号处理电路(224)的电路元件集成、组入一个耐高压IC芯片(200)中，构成上支路驱动电路(212)的最终输出段缓冲部(213)的电路元件组入纵型构造的p沟道MOS－FET芯片(213p)和纵型构造的n沟道MOS－FET芯片(213n)中，构成下支路驱动电路(222)的最终输出段缓冲部(223)的电路元件组入纵型构造的p沟道MOS－FET芯片(223p)和纵型构造的n沟道MOS－FET芯片(223n)中以构成驱动器IC(2)。

公开(公告)号：CN1041232A

公开(公告)日：1990-04-11

申请号：CN89101327.X

申请日：1989-03-11

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 前岛英雄 ,  堀田多加志 ,  增田郁朗 ,  岩村将弘 ,  栗田公三郎 ,  上野雅弘

IPC: G06F7/38

CPC classification number: G06F7/508 ,  G06F5/015 ,  G06F13/4077 ,  G06F15/7832 ,  G06F2207/3872

Abstract: 在一个至少含有一组寄存器和一个算术运算电路的算术运算器中，混合使用双极晶体管和场效应管。

公开(公告)号：CN85104133A

公开(公告)日：1986-08-27

申请号：CN85104133

申请日：1985-05-30

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 前岛英雄 ,  堀田多加志 ,  增田郁朗 ,  岩村将弘 ,  栗田公三郎 ,  上野雅弘

IPC: G06F7/48

CPC classification number: G06F7/508 ,  G06F5/015 ,  G06F13/4077 ,  G06F15/7832 ,  G06F2207/3872

Abstract: 在一个至少含有一组寄存器和一个算术运算电路的算术运算器中，混合使用双极型晶体管和场效应管。