公开(公告)号：CN1050226C

公开(公告)日：2000-03-08

申请号：CN96103944.2

申请日：1996-03-08

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 坂野顺一 ,  小林秀男 ,  长洲正浩 ,  森睦宏

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/74

CPC classification number: H01L29/7455 ,  H01L29/102 ,  H01L29/749

Abstract: 本发明为一种复合半导体装置，包括串联在一起的一个MIS场效应管和一个可控硅，这里，或者把MIS场效应管的p基极层和可控硅p基极层之间的可承受电压设置成低于该MIS场效应管的可承受电压，在MIS场效应管的p基极层和可控硅p基极层通过-p通道连接的条件下使该MIS场效应管“断掉”，或者减小该可控硅p基极层的侧向电阻，从而扩展了该复合半导体装置的安全操作区间。

公开(公告)号：CN1041673C

公开(公告)日：1999-01-13

申请号：CN96109274.2

申请日：1996-08-01

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 宫崎英树 ,  木村新 ,  小林秀男 ,  裮山繁

IPC: H02M1/00 ,  H03K17/08

Abstract: 第1缓冲二极管Ds1和第1电容器C1的串联电路连接在IGBTQ1的输入输出端之间，在Ds1上并联连接由第2电容器C2、第2二极管Ds2、电阻R1构成的充电放电电路装置。随着IGBTQ1的接通动作，形成从C1经IGBTQ1及充电放电电路装置返回C1的闭合回路，使电压对充电放电电路装置的C2充电，并以该充电电压使Ds1反向偏置，而随着IGBTQ1的断开动作，使C2所充的电压放电，在切断相同电流时能减小施加在IGBTQ1上的电压。

公开(公告)号：CN1147723A

公开(公告)日：1997-04-16

申请号：CN96109274.2

申请日：1996-08-01

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 宫崎英树 ,  木村新 ,  小林秀男 ,  山繁

IPC: H02M1/00 ,  H03K17/08

Abstract: 第1缓冲二极管Ds1和第1电容器C1的串联电路连接在IGBTQ1的输入输出端之间，在Ds1上并联连接由第2电容器C2、第2二极管Ds2、电阻R1构成的充电放电电路装置。随着IGBTQ1的接通动作，形成从C1经IGBTQ1及充电放电电路装置返回C1的闭合回路，使电压对充电放电电路装置的C2充电，并以该充电电压使Ds1反向偏置，而随着IGBTQ1的新开动作，使C2所充的电压放电，在切断相同电流时能减小施加在IGBTQ1上的电压。

公开(公告)号：CN1136712A

公开(公告)日：1996-11-27

申请号：CN96103944.2

申请日：1996-03-08

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 坂野顺一 ,  小林秀男 ,  长洲正浩 ,  森睦宏

IPC: H01L27/092

CPC classification number: H01L29/7455 ,  H01L29/102 ,  H01L29/749

Abstract: 本发明为一种复合半导体装置，包括串联在一起的一个MIS场效应管和一个可控硅，这里，或者把MIS场效应管的P基极层和可控硅P基极层之间的可承受电压设置成低于该MIS场效应管的可承受电压，在MIS场效应管的p基极层和可控硅p基极层通过-p通道连接的条件下使该MIS场效应管“断掉”，或者减小该可控硅p基极层的侧向电阻，从而扩展了该复合半导体装置的安全操作区间。