公开(公告)号：CN87100502A

公开(公告)日：1987-08-12

申请号：CN87100502

申请日：1987-01-27

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 今村律 ,  高木政幸 ,  户川卫星 ,  藤治信 ,  长池完训 ,  大浦正树 ,  铃木三郎 ,  小林哲夫 ,  锹塚俊一郎

IPC: G11B5/23

CPC classification number: G11B5/17 ,  G11B5/31 ,  Y10T29/49044 ,  Y10T29/49062 ,  Y10T29/49064

Abstract: 一种薄膜磁头，在其由第一和第二磁层构成的磁路中，带有两层导体层。该磁路在其与录制介质相对的一侧，有着第一和第二磁层在基本等于缝隙深度的长度上相互对应的部分，而非磁性缝隙层插入其间，另外还有着上述两磁层相互连接的前部。缝隙层的边缘构成了磁路的缝隙。如上配置的薄膜磁头可在不减少其生产量的情况下实现高密度录制。

公开(公告)号：CN1004035B

公开(公告)日：1989-04-26

申请号：CN87100502

申请日：1987-01-27

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 今中律 ,  高木政幸 ,  户川卫星 ,  藤治信 ,  长池完训 ,  大浦正树 ,  铃木三郎 ,  小林哲夫 ,  锹俊一郎

IPC: G11B5/31

CPC classification number: G11B5/17 ,  G11B5/31 ,  Y10T29/49044 ,  Y10T29/49062 ,  Y10T29/49064

Abstract: 一种薄膜磁头，在其由第一和第二磁层构成的磁路中，带有两层导体层。该磁路在其与录制介质相对的一侧，有着第一和第二磁层在基本等于缝隙深度的长度上相互对应的部分，而非磁性缝隙层插入其间，另外还有着上述两磁层相互连接的前部。缝隙层的边缘构成了磁路的缝隙。如上配置的薄膜磁头可在不减少其生产量的情况下实现高密度录制。

公开(公告)号：CN1060875C

公开(公告)日：2001-01-17

申请号：CN95103777.3

申请日：1995-04-05

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 谷山彰 ,  森尻诚 ,  田中温子 ,  由比藤勇 ,  芦田荣次 ,  田边英男 ,  小柳广明 ,  小林哲夫

IPC: G11B5/39 ,  G11B5/31

CPC classification number: G11B5/3906 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3932

Abstract: 一种用于磁记录设备如磁盘设备的磁电阻效应型薄膜磁头，包括在下绝缘膜上形成的磁畴控制膜，在磁畴控制膜上形成的磁电阻效应膜，在变薄的下部绝缘膜的上表面区域和磁畴控制膜的上表面区域上形成的绝缘层，在绝缘膜上形成的电极膜。绝缘层连续敷设在下绝缘膜的上表面区域上和磁畴控制膜的上表面区域的一部分上。能防止电极膜和下屏蔽膜之间的介电强度降低，从而能从磁头得到足够大的输出。

公开(公告)号：CN1115460A

公开(公告)日：1996-01-24

申请号：CN95103777.3

申请日：1995-04-05

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 谷山彰 ,  森尻诚 ,  田中温子 ,  由比藤勇 ,  芦田荣次 ,  田边英男 ,  小柳广明 ,  小林哲夫

IPC: G11B5/39 ,  G11B5/31

CPC classification number: G11B5/3906 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3932

Abstract: 通过制作图形，在下绝缘膜上形成磁畴控制膜，在磁畴控制膜上形成磁阻效应膜，用剥离法在磁阻效应膜上形成耐蚀剂图形，用离子铣加工法只将磁阻效应膜上与磁道相对应的部分留下，形成磁阻效应元件，在耐蚀剂图形上、以及在由于离子刻蚀而变薄的下部绝缘膜的上表面区域和磁畴控制膜的上表面区域上形成绝缘层，在绝缘膜上形成电极膜，然后将耐蚀剂图形除去。绝缘层连续敷设在下绝缘膜的上表面区域上和磁畴控制膜的上表面区域的一部分上。