公开(公告)号：CN1120231A

公开(公告)日：1996-04-10

申请号：CN94106213.9

申请日：1994-06-01

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 田中利広 ,  加藤正高 ,  久米均 ,  小仓圭介 ,  足立哲生

IPC: G11C16/06

CPC classification number: G11C16/10

Abstract: 本发明为一个半导体非易失性存储器件，可以减少验证操作和验证操作自身转换所需时间的总开销、基于一系列重复操作，存储单元的阈值变化的步宽ΔVth相对于改变阈值(所用脉冲宽度)的一次操作可表示成：ΔVth＝Kυth·log(t2/t1)而程序脉冲宽度之间经例可表示成(t2/t1)-10E(ΔVth/Kυth)。其中存储单元的阈值变化差值ΔVth为常数，脉冲宽度随提供给存储单元的重复次数的增加而增加。

公开(公告)号：CN1044295C

公开(公告)日：1999-07-21

申请号：CN94106213.9

申请日：1994-06-01

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 田中利広 ,  加藤正高 ,  久米均 ,  小仓圭介 ,  足立哲生

IPC: G11C16/06

CPC classification number: G11C16/10

Abstract: 本发明为一个半导体非易失性存储器件，可以减少验证操作和验证操作自身转换所需时间的总开销、基于一系列重复操作，存储单元的阈值变化的步宽ΔVth相对于改变阈值(所用脉冲宽度)的一次操作可表示成：ΔVth＝Kvth·log(t2/t1)而程序脉冲宽度之间经例可表示成(t2/t1)-10E(ΔVth/Kvth)。其中存储单元的阈值变化差值ΔVth为常数，脉冲宽度随提供给存储单元的重复次数的增加而增加。