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公开(公告)号：CN1209672C
公开(公告)日：2005-07-06
申请号：CN02141408.4
申请日：2002-08-30
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G02F1/136 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78696 , G02F1/136213 , G02F1/1368 , H01L29/78618 , H01L29/78669
Abstract: 一种液晶显示装置，其特征在于：在隔有液晶相向配置的各基板中的一个基板的液晶侧的面中的各像素区域上，设有薄膜晶体管，该薄膜晶体管的构造具有：连接到栅极信号线的栅极电极、隔着绝缘膜与该栅极电极层积的半导体层、在该半导体层上形成的连接到漏极信号线的漏极电极及连接到像素电极的源极电极；且所述半导体层的延伸出所述源极电极的一侧，在比该源极电极的宽度更大的宽度范围内形成周期性的凹凸形状。
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公开(公告)号：CN100385327C
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200510076126.8
申请日：2002-08-30
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G02F1/136 , G02F1/133 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78696 , G02F1/136213 , G02F1/1368 , H01L29/78618 , H01L29/78669
Abstract: 本发明提供一种液晶显示装置，其在隔有液晶而相向配置的各基板中的一侧基板的液晶侧的面中的各像素区域上，设有薄膜晶体管，该薄膜晶体管的构造具有：栅极电极，其连接到栅极信号线、半导体层，其通过该栅极电极与绝缘膜而层积形成、漏极电极，其是在该半导体层上连接到漏极信号线、及源极电极，其连接到像素电极；并且前述半导体层至少在该源极电极被拉出的边上，在比该源极电极的宽度更大的宽幅区间内成周期性凹凸形状。
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公开(公告)号：CN1690823A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200510076126.8
申请日：2002-08-30
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G02F1/136 , G02F1/133 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78696 , G02F1/136213 , G02F1/1368 , H01L29/78618 , H01L29/78669
Abstract: 本发明提供一种液晶显示装置，其在隔有液晶而相向配置的各基板中的一侧基板的液晶侧的面中的各像素区域上，设有薄膜晶体管，该薄膜晶体管的构造具有：栅极电极，其连接到栅极信号线、半导体层，其通过该栅极电极与绝缘膜而层积形成、漏极电极，其是在该半导体层上连接到漏极信号线、及源极电极，其连接到像素电极；并且前述半导体层至少在该源极电极被拉出的边上，在比该源极电极的宽度更大的宽幅区间内成周期性凹凸形状。
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公开(公告)号：CN1403860A
公开(公告)日：2003-03-19
申请号：CN02141408.4
申请日：2002-08-30
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G02F1/136 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78696 , G02F1/136213 , G02F1/1368 , H01L29/78618 , H01L29/78669
Abstract: 本发明提供一种液晶显示装置，其在隔有液晶而相向配置的各基板中的一侧基板的液晶侧的面中的各像素区域上，设有薄膜晶体管，该薄膜晶体管的构造具有：栅极电极，其连接到栅极信号线、半导体层，其通过该栅极电极与绝缘膜而层积形成、漏极电极，其是在该半导体层上连接到漏极信号线、及源极电极，其连接到像素电极；并且前述半导体层至少在该源极电极被拉出的边上，在比该源极电极的宽度更大的宽幅区间内成周期性凹凸形状。
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