-
公开(公告)号：CN115552634A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202180032221.5
申请日：2021-06-03
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/417 , H01L29/739
Abstract: 防止在接触区域与硅化物层的界面产生缺陷，由此实现能抑制通电劣化的可靠性高的IGBT。作为其手段，提供一种半导体装置，其具有：形成于半导体基板的下表面且构成IGBT的集电极区域；和在集电极区域的下表面隔着硅化物层形成的集电极电极，硅化物层包含：铝、比铝更易于与硅结合的第1金属和比铝更易于与碳结合的第2金属。
Search Results
1
records
(took 0.016 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
