公开(公告)号：CN1115071A

公开(公告)日：1996-01-17

申请号：CN95104717.5

申请日：1995-04-21

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 高野公史 ,  北田正弘 ,  铃木干夫

IPC: G11B5/31

CPC classification number: G11B5/31 ,  G11B5/012 ,  G11B5/09 ,  G11B5/1272 ,  G11B5/17 ,  G11B5/3109 ,  G11B5/313 ,  G11B5/39 ,  G11B5/3967

Abstract: 提供一种磁存储装置，将数据记录频率设定在45MHz以上，当构成磁头的记录磁极的磁性膜的厚度为d(μm)、电阻率为ρ(μΩ-cm)、低频区域内的相对导磁率为μ时，使各参量满足μd2/ρ≤500的关系，从而能将记录磁场的衰减量抑制在10％以下，并能解决写不清的量及重写的值随记录频率的变化而变化的问题，且能使媒体的传输速度达到每秒15兆字节以上，记录数据的面记录密度达每平方英寸500兆位以上。

公开(公告)号：CN1065060C

公开(公告)日：2001-04-25

申请号：CN95104717.5

申请日：1995-04-21

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 高野公史 ,  北田正弘 ,  铃木干夫

IPC: G11B5/187

CPC classification number: G11B5/31 ,  G11B5/012 ,  G11B5/09 ,  G11B5/1272 ,  G11B5/17 ,  G11B5/3109 ,  G11B5/313 ,  G11B5/39 ,  G11B5/3967

Abstract: 提供一种磁存储装置，将数据记录频率设定在45MHz以上，当构成磁头的记录磁极的磁性膜的厚度为d(μm)、电阻率为ρ(μΦ·cm)、低频区域内的相对导磁率为μ时，使各参量满足μd2/ρ≤500的关系，从而能将记录磁场的衰减量抑制在10%以下，并能解决写不清的量及重写的值随记录频率的变化而变化的问题，且能使媒体的传输速度达到每秒15兆字节以上，记录数据的面记录密度达每平方英寸500兆位以上。