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公开(公告)号：CN107112362B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201580071372.6
申请日：2015-01-19
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/12
Abstract: 本发明的目的是提供高性能且可靠性高的功率半导体装置。本发明的半导体装置具有：第一导电类型的半导体衬底；在半导体衬底的背面侧形成的漏电极；在半导体衬底上形成的第一导电类型的漂移层；第一导电类型的源区；与漂移层电连接的第一导电类型的电流扩散层；与源区和电流扩散层相接的与第一导电类型相反的第二导电类型的主体层；在源区、主体层以及电流扩散层上延设的比主体层浅且底面与主体层相接的沟槽；在沟槽的内壁形成的栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上形成的栅电极；以及在电流扩散层与栅电极之间形成的栅极绝缘膜保护层。
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公开(公告)号：CN107112362A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580071372.6
申请日：2015-01-19
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/12
Abstract: 本发明的目的是提供高性能且可靠性高的功率半导体装置。本发明的半导体装置具有：第一导电类型的半导体衬底；在半导体衬底的背面侧形成的漏电极；在半导体衬底上形成的第一导电类型的漂移层；第一导电类型的源区；与漂移层电连接的第一导电类型的电流扩散层；与源区和电流扩散层相接的与第一导电类型相反的第二导电类型的主体层；在源区、主体层以及电流扩散层上延设的比主体层浅且底面与主体层相接的沟槽；在沟槽的内壁形成的栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上形成的栅电极；以及在电流扩散层与栅电极之间形成的栅极绝缘膜保护层。
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公开(公告)号：CN107112361B
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201580061958.4
申请日：2015-02-12
Applicant: 株式会社日立制作所
Abstract: 本发明的目的是提供高性能且可靠性高的功率半导体装置。本发明的半导体装置具有：第一导电类型的半导体基板；在半导体基板的背面侧形成的漏电极；在半导体基板的表面侧形成的第一导电类型的漂移层；第一导电类型的源区域；第一导电类型的电流扩散层；与源区域和电流扩散层相接的与第一导电类型相反的第二导电类型的主体层；在源区域、主体层以及电流扩散层上延展，比主体层浅且底面与主体层相接的沟槽；形成到比电流扩散层与主体层的边界深的位置，将漂移层和电流扩散层电连接的杂质浓度比漂移层高的第一导电类型的高浓度JFET层；在沟槽的内壁形成的栅绝缘膜；以及，在栅绝缘膜上形成的栅电极。
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公开(公告)号：CN107112361A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580061958.4
申请日：2015-02-12
Applicant: 株式会社日立制作所
Abstract: 本发明的目的是提供高性能且可靠性高的功率半导体装置。本发明的半导体装置具有：第一导电类型的半导体基板；在半导体基板的背面侧形成的漏电极；在半导体基板的表面侧形成的第一导电类型的漂移层；第一导电类型的源区域；第一导电类型的电流扩散层；与源区域和电流扩散层相接的与第一导电类型相反的第二导电类型的主体层；在源区域、主体层以及电流扩散层上延展，比主体层浅且底面与主体层相接的沟槽；形成到比电流扩散层与主体层的边界深的位置，将漂移层和电流扩散层电连接的杂质浓度比漂移层高的第一导电类型的高浓度JFET层；在沟槽的内壁形成的栅绝缘膜；以及，在栅绝缘膜上形成的栅电极。
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