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公开(公告)号:CN101046368B
公开(公告)日:2012-05-16
申请号:CN200710078957.8
申请日:2007-02-16
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G01L1/2293 , G01B7/18 , G01L1/18
Abstract: 本发明提供一种力学量测定装置,可以高精度地测定特定方向的应变分量。该力学量测定装置在半导体单晶基板、半导体芯片内至少形成两组以上的电桥电路,在上述电桥电路中,一个电桥电路形成流有电流并测定电阻值变动的方向(长边方向)与该半导体单晶基板的 方向平行的n型扩散电阻,另一个电桥电路组合形成与 方向平行的p型扩散电阻。
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公开(公告)号:CN106574633B
公开(公告)日:2019-02-26
申请号:CN201580043034.1
申请日:2015-04-07
Applicant: 株式会社日立制作所
Abstract: 本发明提供一种外壳以及具备外壳的涡轮机械及压缩机,该外壳维护性良好且为分割型的,焊接在上外壳(1a)的筒板部(6a)及侧板部(7a)的上法兰(4a)的焊接面(102a),和焊接在下外壳(1b)的筒板部(6b)及侧板部(7b)的下法兰(4b)的焊接面(102b)中的至少一方相对于对合面(103)垂直或倾斜。由此,不增加壁部的壁厚就可抑制高压流体从对合面的泄漏。
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公开(公告)号:CN105473876A
公开(公告)日:2016-04-06
申请号:CN201480045738.8
申请日:2014-06-27
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: F01D25/243 , F05D2260/31 , F16B5/02 , F16B31/043
Abstract: 本发明的螺栓紧固结构具备:具有螺栓孔(111)的第一部件(108);具有内螺纹部(118)的第二部件(109);螺栓(106),所述螺栓(106)插入到螺栓孔(111)和内螺纹部(118),并紧固第一部件(108)和第二部件(109);以及螺母(107),所述螺母(107)配置于第一部件(108),并具有朝向第二部件(109)突出的凸部(113)。当将螺栓(106)的长度方向作为轴向时,螺母(107)的凸部(113)的垂直于轴向的截面积比螺栓(106)的垂直于轴向的截面积大。第二部件(109)在内螺纹部(118)的第一部件(108)侧具有螺栓孔(112),螺栓孔(112)的长度比螺母(107)的凸部(113)的突出长度长。
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公开(公告)号:CN103452849B
公开(公告)日:2016-04-06
申请号:CN201310192759.X
申请日:2013-05-23
Applicant: 株式会社日立制作所
Abstract: 本发明公开了一种壳体和具备壳体的涡轮机械以及压缩机。本发明以提供一种能够抑制高压气体从分割面泄漏的壳体和具备该壳体的涡轮机械以及压缩机为课题。本发明中,做成具有与轴线平行且绕着轴线弯曲的躯干部、从躯干部的端部曲面状地鼓出成轴线的位置成为顶部的曲面部和曲面部的顶部具备的轴承,具有由包括轴线的分割面分割的上壳体和下壳体,在分割面中,法兰由多个法兰螺栓紧固固定的壳体。而且,具有如下特征,法兰具有沿躯干部的直线部、沿曲面部的曲线部、成为顶部的附近的顶部附近部,曲线部的曲线部螺栓间隔比直线部的直线部螺栓间隔以及顶部附近部的顶部螺栓间隔宽。
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公开(公告)号:CN106574633A
公开(公告)日:2017-04-19
申请号:CN201580043034.1
申请日:2015-04-07
Applicant: 株式会社日立制作所
Abstract: 本发明提供一种外壳以及具备外壳的涡轮机械及压缩机,该外壳维护性良好且为分割型的,焊接在上外壳(1a)的筒板部(6a)及侧板部(7a)的上法兰(4a)的焊接面(102a),和焊接在下外壳(1b)的筒板部(6b)及侧板部(7b)的下法兰(4b)的焊接面(102b)中的至少一方相对于对合面(103)垂直或倾斜。由此,不增加壁部的壁厚就可抑制高压流体从对合面的泄漏。
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公开(公告)号:CN101046368A
公开(公告)日:2007-10-03
申请号:CN200710078957.8
申请日:2007-02-16
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G01L1/2293 , G01B7/18 , G01L1/18
Abstract: 本发明提供一种力学量测定装置,可以高精度地测定特定方向的应变分量。该力学量测定装置在半导体单晶基板、半导体芯片内至少形成两组以上的电桥电路,在上述电桥电路中,一个电桥电路形成流有电流并测定电阻值变动的方向(长边方向)与该半导体单晶基板的(100)方向平行的n型扩散电阻,另一个电桥电路组合形成与(110)方向平行的p型扩散电阻。
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