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公开(公告)号：CN114902805A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202080091277.3
申请日：2020-01-17
Applicant: 株式会社日本有机雷特显示器
IPC: H05B33/10
Abstract: 一种自发光元件，其在像素电极(阳极)(13)和相对电极(阴极)(20)之间设置有发光层(17)，具备：第一功能层(18)，设置在所述发光层(17)和相对电极(20)之间，包含选自碱金属、碱土金属或者稀土金属中的金属的氟化物；及第二功能层(19)，设置在所述第一功能层(18)和所述相对电极(20)之间，包含稀土金属作为掺杂材料。
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公开(公告)号：CN109728175A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811085102.2
申请日：2018-09-17
Applicant: 株式会社日本有机雷特显示器
Inventor： 三岛孝介
Abstract: 本公开提供一种有机电致发光元件、有机电致发光装置和电子设备，该有机电致发光元件具备：第一反射层；第二反射层；单色发光的有机发光层，设置在第一反射层与第二反射层之间；Ag电极层，设置在有机发光层与第二反射层之间；以及Yb电子注入层，与Ag电极层的有机发光层侧接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109728175B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN201811085102.2
申请日：2018-09-17
Applicant: 株式会社日本有机雷特显示器
Inventor： 三岛孝介
Abstract: 本公开提供一种有机电致发光元件、有机电致发光装置和电子设备，该有机电致发光元件具备：第一反射层；第二反射层；单色发光的有机发光层，设置在第一反射层与第二反射层之间；Ag电极层，设置在有机发光层与第二反射层之间；以及Yb电子注入层，与Ag电极层的有机发光层侧接触。
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公开(公告)号：CN109728174B
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN201811038943.8
申请日：2018-09-06
Applicant: 株式会社日本有机雷特显示器
Inventor： 三岛孝介
Abstract: 本公开提供一种有机电致发光元件、有机电致发光装置和电子设备，有机电致发光元件依次具备阳极、有机发光层、电子传输层、中间层和阴极。电子传输层具有NaF层，中间层具有与NaF层的阴极侧接触的Yb层。
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公开(公告)号：CN109728174A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811038943.8
申请日：2018-09-06
Applicant: 株式会社日本有机雷特显示器
Inventor： 三岛孝介
Abstract: 本公开提供一种有机电致发光元件、有机电致发光装置和电子设备，有机电致发光元件依次具备阳极、有机发光层、电子传输层、中间层和阴极。电子传输层具有NaF层，中间层具有与NaF层的阴极侧接触的Yb层。
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公开(公告)号：CN103582961B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201280027532.3
申请日：2012-08-28
Applicant: 株式会社日本有机雷特显示器
Inventor： 三岛孝介
CPC classification number: H01L51/5237 , H01L27/32 , H01L51/5088 , H01L51/5092 , H01L51/5259
Abstract: 本发明提供了有机EL元件1，其具有：阳极2和阴极7，设置在阳极2和阴极7之间的、含有有机材料的发光层5，设置在阳极2和发光层5之间的空穴注入层3、和设置在发光层5和阴极7之间的电子注入层6。并且，空穴注入层3和电子注入层6都含有金属原子和硫原子，所述空穴注入层3和电子注入层6中的硫浓度，作为所述空穴注入层3中含有的硫和金属之比的硫浓度、和所述电子注入层6中含有的硫和金属之比的硫浓度，以原子数比计分别为96～439ppm。
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公开(公告)号：CN102640318B
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201080026066.8
申请日：2010-11-29
Applicant: 株式会社日本有机雷特显示器
CPC classification number: H01L51/5056 , H01L27/3246 , H01L51/5072 , H01L51/5088 , H01L51/56 , H01L2251/562
Abstract: 本发明提供一种有机发光元件的制造方法、有机发光元件、发光装置、显示面板以及显示装置。在该有机发光元件的制造方法中，首先，在基板(101)的上方形成反射阳极(105)和空穴注入层(107)。然后，在空穴注入层(107)上涂敷堤材料，形成堤材料层(1080)，通过使其形成图案而形成堤准备层(1081)，并且使用残留于开口底的堤残渣层(1090)形成堤树脂层。然后，形成空穴输送层以使得其与堤树脂层接触，在其上依次层叠形成发光层、电子输送层以及透明阴极。然后，对这样形成的元件构造体进行通电处理，降低来自空穴注入层(107)的空穴注入性。
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