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公开(公告)号：CN117957640A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202280060626.4
申请日：2022-07-07
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/306 , C23F1/02 , H01L21/304
Abstract: 基板处理装置包含：基板保持构件，将基板保持为规定的处理姿势；聚合物膜形成构件，将含有光致产酸剂以及聚合物的聚合物膜形成于被所述基板保持构件保持的基板的第一主表面，光致产酸剂通过光的照射而生成酸；光射出构件，射出光，并对被所述基板保持构件保持的基板的第一主表面的周缘部照射光；以及反射抑制构件，包含第一部分，第一部分能够配置于邻接位置，邻接位置为从所述基板的第一主表面的中心部侧邻接于被所述基板保持构件保持的基板的第一主表面的周缘部中被来自所述光射出构件的光照射的照射区域的位置。
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公开(公告)号：CN115863143A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211157249.4
申请日：2022-09-22
Applicant: 株式会社斯库林集团
Abstract: 本发明提供基板处理方法以及基板处理装置。基板处理方法包括：硫酸浸渍工序，使多枚基板浸渍于硫酸槽内的含硫酸液体；搬运工序，从所述硫酸槽取出多枚所述基板，将多枚所述基板搬运至臭氧气体处理单元；以及臭氧暴露工序，使搬运至所述臭氧气体处理单元的多枚所述基板暴露于含臭氧气体。臭氧气体处理单元也可以包括容纳多枚基板的气体处理室。臭氧暴露工序也可以包括通过将从所述硫酸槽取出的多枚所述基板配置于所述气体处理室内的处理空间而使多枚所述基板暴露于含臭氧气体的工序。
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公开(公告)号：CN111095486B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN201880059923.0
申请日：2018-06-15
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/027 , G03F7/42 , H01L21/302 , H01L21/3065 , H01L21/683
Abstract: 一种抗蚀剂去除方法以及抗蚀剂去除装置，所述抗蚀剂去除装置(1)的加热板(4)配置于处理空间(20)且被加热至规定的温度。多个升降销(51)在处理空间(20)中保持在上表面(91)上具有抗蚀剂的图案的基板(9)，所述抗蚀剂在表面形成有变质层。销升降机构(32)使多个升降销(51)相对于加热板(4)相对地移动。臭氧气体供给部(6)向基板(9)的上表面(91)供给臭氧气体。控制部(10)将基板(9)配置在与加热板(4)隔开间隙的第一处理位置而利用臭氧气体进行变质层(96)的去除，然后，通过控制移动机构(32)，将基板(9)配置在该间隙比第一处理位置更小的第二处理位置而利用臭氧气体进行抗蚀剂的去除。由此，能够一边防止爆裂一边高效地去除基板(9)上的抗蚀剂。
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公开(公告)号：CN111952217B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202010396665.4
申请日：2020-05-12
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种能提高基板的面内蚀刻的均匀性的基板处理装置。基板处理装置(1)是利用气相对基板(W1)的表面进行蚀刻的装置。基板处理装置(1)具备腔室(10)、加热载置部(30)、气体导入部(40)、排气部(50)、以及第一加热部(60)。加热载置部(30)在腔室(10)内加热并载置基板(W1)。气体导入部(40)具有在腔室(10)内设于与基板(W1)对置的位置的导入口(41a)，从导入口(41a)向腔室(10)内导入蚀刻气体。排气部(50)经由形成于腔室(10)的第一排气口(12a)而排出腔室(10)内的气体。第一加热部(60)安装于腔室(10)。
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公开(公告)号：CN117378033A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202280037651.0
申请日：2022-04-08
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/027
Abstract: 基板处理方法具备：工序a)，以隔着空间SP被盖部(240)覆盖的方式将设置了有机膜(100)的基板(W)载置于基板载置部(30)的载置面(30a)上；工序b)，一边将载置有基板(W)的基板载置部(30)的载置面(30a)加热至第一温度，一边将盖部(240)加热至高于第一温度的第二温度；以及工序c)，一边进行工序b)，一边将含有臭氧的气体经由盖部(240)的贯通孔(248)导入空间(SP)中。
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公开(公告)号：CN115699260A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202180036643.X
申请日：2021-04-28
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/304 , H01L21/02 , G06N20/00
Abstract: 基板处理装置(100)具备基板保持部(120)、处理液供给部(160)、输入信息取得部(22a)、升华干燥处理条件信息取得部(22b)以及控制部(22)。输入信息取得部(22a)取得输入信息，输入信息包含基板信息以及处理液信息中的至少一者的信息。升华干燥处理条件信息取得部(22b)基于输入信息从学习完毕模型取得针对处理对象基板的升华干燥处理条件信息，升华干燥处理条件信息显示升华干燥处理条件。控制部(22)基于在升华干燥处理条件信息取得部(22b)中所取得的升华干燥处理条件信息，控制基板保持部(120)以及处理液供给部(160)，以对处理对象基板予以升华干燥处理。
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公开(公告)号：CN117999637A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202280062961.8
申请日：2022-06-20
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/306 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，用以处理基板，前述基板具有：第一主表面，具有第一周缘部；第二主表面，与前述第一主表面为相反侧的面且具有第二周缘部；以及外周端，连接前述第一周缘部以及前述第二周缘部。基板处理方法包含：保护膜形成工序，对前述第一主表面供给保护膜形成液，在前述第一周缘部形成保护膜；第一药液供给工序，在前述第一周缘部形成有前述保护膜的状态下，对前述第二主表面供给药液，使前述药液到达前述外周端，并用前述药液处理前述外周端；以及保护膜去除工序，于前述第一药液供给工序后去除前述保护膜。
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公开(公告)号：CN116997994A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202280022252.7
申请日：2022-03-09
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/027
Abstract: 一种基板处理装置，具备：基板处理部，用溶解有臭氧的处理液来处理基板；回收槽，回收从所述基板处理部排出的所述处理液；回收配管，连接所述基板处理部与所述回收槽；加热构件，将所述回收配管内的所述处理液以及所述回收槽内的所述处理液中的至少一方加热至第一温度；供给配管系统，将所述回收槽内的所述处理液供给至所述基板处理部；以及臭氧气体配管，将臭氧气体供给至所述供给配管系统，并将臭氧气体混合至通过所述供给配管系统的所述处理液。
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公开(公告)号：CN116711053A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202180087812.2
申请日：2021-12-23
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/302
Abstract: 配线形成方法具备搬入工序(S1)、蚀刻工序(S3)以及还原工序(S6)。在搬入工序(S1)中，将形成有金属配线部的基板搬入至腔室内。在蚀刻工序(S3)中，对基板供给氧化性气体，从而蚀刻金属配线部的一部分。在还原工序(S6)中，对基板供给还原性气体，从而将通过蚀刻工序(S3)所形成的金属配线部的氧化膜予以还原。
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公开(公告)号：CN114121643A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202110992002.3
申请日：2021-08-27
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/308 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及一种衬底处理方法及衬底处理装置。用来将具有硬化层的抗蚀剂从衬底表面去除的衬底处理方法包含硬化层去除步骤与湿处理步骤。硬化层去除步骤包含将所述衬底加热到150℃以上的加热步骤、与对通过所述加热步骤加热的所述衬底的表面供给臭氧气体的臭氧气体供给步骤，且在所述衬底的表面附近产生氧自由基，将所述硬化层去除。湿处理步骤是在所述硬化层去除步骤之后，对所述衬底表面供给包含硫酸的处理液，将所述抗蚀剂从所述衬底表面去除。
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