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公开(公告)号：CN111591339A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010104727.X
申请日：2020-02-20
IPC: B62D5/04
Abstract: 本发明提供能够通过正确地获取与控制电路有无异常相关的信息来提高可靠性的控制电路以及马达控制装置。电源电路(101)将电池(50)的电源电压降压至规定电压范围内的控制电压(Vco)。电压异常检测电路(131)基于控制电压(Vco)是否在规定电压范围内来检测电源电路(101)有无异常。通信接口(140)将电压异常检测电路(131)的检测结果输出至微机(32)。模拟异常生成部(150)基于来自微机(32)的模拟异常信号(Sp)将由电压异常检测电路(131)生成的检测结果模拟地设定为有异常。微机(32)基于由于对模拟异常生成部(150)输出了模拟异常信号(Sp)而获取的检测结果，来检测通信接口(140)的异常。
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公开(公告)号：CN111591339B
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202010104727.X
申请日：2020-02-20
IPC: B62D5/04
Abstract: 本发明提供能够通过正确地获取与控制电路有无异常相关的信息来提高可靠性的控制电路以及马达控制装置。电源电路(101)将电池(50)的电源电压降压至规定电压范围内的控制电压(Vco)。电压异常检测电路(131)基于控制电压(Vco)是否在规定电压范围内来检测电源电路(101)有无异常。通信接口(140)将电压异常检测电路(131)的检测结果输出至微机(32)。模拟异常生成部(150)基于来自微机(32)的模拟异常信号(Sp)将由电压异常检测电路(131)生成的检测结果模拟地设定为有异常。微机(32)基于由于对模拟异常生成部(150)输出了模拟异常信号(Sp)而获取的检测结果，来检测通信接口(140)的异常。
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公开(公告)号：CN107181406B
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN201710095521.3
申请日：2017-02-22
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够防止由过电流流动导致的晶体管退化的半导体器件。根据一种实施方式，半导体器件包括第一晶体管，其设置在高电位侧电压端和输出端之间，通过降低电源电压而产生的恒定电压提供至所述高电位侧电压端；第二晶体管，其设置在低电位侧电压端和所述输出端之间，接地电压提供至所述低电位侧电压端；控制电路，其控制所述第一晶体管和第二晶体管的导通/断开；升压电路，其通过使用所述输出端的电压来升高电源电压从而产生输出电压；及过电压检测电路，其检测使所述高电位侧电压端与所述第一晶体管相互连接的电源线路的过电压。所述控制电路，在检测出所述过电压时，控制断开所述第二晶体管。
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公开(公告)号：CN107181406A
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201710095521.3
申请日：2017-02-22
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够防止由过电流流动导致的晶体管退化的半导体器件。根据一种实施方式，半导体器件包括第一晶体管，其设置在高电位侧电压端和输出端之间，通过降低电源电压而产生的恒定电压提供至所述高电位侧电压端；第二晶体管，其设置在低电位侧电压端和所述输出端之间，接地电压提供至所述低电位侧电压端；控制电路，其控制所述第一晶体管和第二晶体管的导通/断开；升压电路，其通过使用所述输出端的电压来升高电源电压从而产生输出电压；及过电压检测电路，其检测使所述高电位侧电压端与所述第一晶体管相互连接的电源线路的过电压。所述控制电路，在检测出所述过电压时，控制断开所述第二晶体管。
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