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公开(公告)号:CN104756222A
公开(公告)日:2015-07-01
申请号:CN201280076582.0
申请日:2012-10-22
Applicant: 株式会社岛津制作所
CPC classification number: H01J35/14 , H01J35/16 , H01J35/305 , H01J2235/02 , H01J2235/16 , H01J2235/168
Abstract: 本发明的X射线管装置(100)具备:阴极(1),其产生电子束;阳极(2),其由于来自阴极的电子束撞击而产生X射线;外围器(3),其在内部收容阴极和阳极;磁场发生器(4),其包括与外围器相向地配置的磁极(4b),产生用于使从阴极去向阳极的电子束会聚和偏转的磁场;以及电场缓和电极(5),其配置在磁极与外围器之间,具有带圆角的形状的外表面。由此,发挥以下效果:能够在抑制磁场发生器的前端成为放电的起点的同时使磁场发生器靠近外围器,从而能够使X射线管装置小型化。
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公开(公告)号:CN101689465B
公开(公告)日:2012-05-16
申请号:CN200780053605.5
申请日:2007-08-09
Applicant: 株式会社岛津制作所
CPC classification number: H01J35/14 , H01J35/16 , H01J35/305 , H01J2235/1212 , H01J2235/1216 , H01J2235/162
Abstract: 本发明提供一种X射线管装置,以往,将磁场发生器(4)与电子束(B)的轴(O)相垂直配置,本发明的X射线管装置中,将磁场发生器(4)相对于与电子束(B)的轴(O)相垂直的平面(V)倾斜配置。具体地说,将磁场发生器(4)相对于与所述电子束(B)的轴(O)相垂直的平面(V),在比聚焦、偏转的电子束(B)更靠阴极(2)侧的范围内倾斜配置。若倾斜到作为阴极(2)侧的相反侧的阳极(5)侧时,变小的X射线源直径可能变大,但是通过在比电子束(B)更靠阴极(2)侧的范围内倾斜配置磁场发生器(4),能够使X射线源直径变小。
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公开(公告)号:CN115885031A
公开(公告)日:2023-03-31
申请号:CN202180052328.6
申请日:2021-07-07
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: C12M1/00
Abstract: 细胞培养容器(10)包括:容器主体(11)、插入式细胞培养器(12),其具有筒状部(12a)和透氧性的隔膜(12b);以及盖构件(13)。在容器主体形成有与容器主体的内部连通的开口(11aa)。筒状部包括上端和下端,该筒状部以下端位于容器主体的内部的方式插入于开口。筒状部的下端侧由隔膜封闭。筒状部的上端侧由盖构件封闭。盖构件包括朝向筒状部的内部侧的下表面(13b)。在盖构件形成有在下表面与筒状部的内部连通的电极插入口(13e、13f)和培养基排出口(13d)。隔膜和下表面之间的距离随着从电极插入口的下表面侧的端部靠近培养基排出口的下表面侧的端部而增大。
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公开(公告)号:CN104756222B
公开(公告)日:2016-11-23
申请号:CN201280076582.0
申请日:2012-10-22
Applicant: 株式会社岛津制作所
CPC classification number: H01J35/14 , H01J35/16 , H01J35/305 , H01J2235/02 , H01J2235/16 , H01J2235/168
Abstract: 本发明的X射线管装置(100)具备:阴极(1),其产生电子束;阳极(2),其由于来自阴极的电子束撞击而产生X射线;外围器(3),其在内部收容阴极和阳极;磁场发生器(4),其包括与外围器相向地配置的磁极(4b),产生用于使从阴极去向阳极的电子束会聚和偏转的磁场;以及电场缓和电极(5),其配置在磁极与外围器之间,具有带圆角的形状的外表面。由此,发挥以下效果:能够在抑制磁场发生器的前端成为放电的起点的同时使磁场发生器靠近外围器,从而能够使X射线管装置小型化。
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公开(公告)号:CN101689465A
公开(公告)日:2010-03-31
申请号:CN200780053605.5
申请日:2007-08-09
Applicant: 株式会社岛津制作所
CPC classification number: H01J35/14 , H01J35/16 , H01J35/305 , H01J2235/1212 , H01J2235/1216 , H01J2235/162
Abstract: 本发明提供一种X射线管装置,以往,将磁场发生器(4)与电子束(B)的轴(O)相垂直配置,本发明的X射线管装置中,将磁场发生器(4)相对于与电子束(B)的轴(O)相垂直的轴(V)倾斜配置。具体地说,将磁场发生器(4)相对于与所述电子束(B)的轴(O)相垂直的轴(V),在比聚焦、偏转的电子束(B)更靠阴极(2)侧的范围内倾斜配置。若倾斜到作为阴极(2)侧的相反侧的阳极(5)侧时,变小的X射线源直径可能变大,但是通过在比电子束(B)更靠阴极(2)侧的范围内倾斜配置磁场发生器(4),能够使X射线源直径变小。
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