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公开(公告)号：CN108779867B
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201780008331.1
申请日：2017-01-20
Abstract: 本发明提供一种能够容易地将气体管线部相对于框架进行安装的流体控制装置及气体管线部的装卸方法。框架(2)的第一横框架部件(10)具备沿左右方向延伸的勾挂部件(16)、以及位于比勾挂部件(16)更靠下侧且形成有在前方开口的多个第一槽(13c)的下侧部(13)。沿上下方向延伸的管线支承部件(30)具有平板状的设备载置部(31)、以及从设备载置部(31)的左右两缘向后方突出的一对侧板部(32)。各侧板部(32)具有位于比勾挂部件(16)更靠下侧的基部(36)、以及位于比基部(36)更靠上侧且位于勾挂部件(16)后侧的上方部(37)。基部(36)中形成有向后方开口并嵌入至第一槽(13c)的第二槽(36a)，上方部(37)中设置有向前方突出并从上侧与勾挂部件(16)抵接的突起部(37A)。
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公开(公告)号：CN108779867A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201780008331.1
申请日：2017-01-20
Abstract: 本发明提供一种能够容易地将气体管线部相对于框架进行安装的流体控制装置及气体管线部的装卸方法。框架(2)的第一横框架部件(10)具备沿左右方向延伸的勾挂部件(16)、以及位于比勾挂部件(16)更靠下侧且形成有在前方开口的多个第一槽(13c)的下侧部(13)。沿上下方向延伸的管线支承部件(30)具有平板状的设备载置部(31)、以及从设备载置部(31)的左右两缘向后方突出的一对侧板部(32)。各侧板部(32)具有位于比勾挂部件(16)更靠下侧的基部(36)、以及位于比基部(36)更靠上侧且位于勾挂部件(16)后侧的上方部(37)。基部(36)中形成有向后方开口并嵌入至第一槽(13c)的第二槽(36a)，上方部(37)中设置有向前方突出并从上侧与勾挂部件(16)抵接的突起部(37A)。
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公开(公告)号：CN114250453B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202111113817.6
申请日：2021-09-23
Applicant: 株式会社国际电气
IPC: C23C16/52 , C23C16/455 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置以及半导体装置的制造方法，能够提高基板的面内膜厚均匀性以及各基板之间的膜厚均匀性。具有：对以液体供给的原料进行气化而生成原料气体的气化器(91)；蓄积从气化器取出的原料气体的容器、即第一容器(95A)、第二容器(95B)；设置于连接气化器和容器的配管(47a)且控制向容器供给的原料气体的流量的流量控制器(100)；设置于配管且开闭配管的流路的第一阀(93A、93B)；设置于容器的下游且放出由容器蓄积的原料气体的第二阀(97A、97B)；设置于第二阀的下游且供给原料气体的处理室(2)；以交替地反复原料气体从气化器向容器的蓄积与从容器向处理室的放出的方式控制的控制部。
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公开(公告)号：CN114277357A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111121932.8
申请日：2021-09-24
Applicant: 株式会社国际电气
IPC: C23C16/448 , C23C16/455 , C23C16/52 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种气化系统、基板处理装置以及半导体装置的制造方法，在生成气化气体时抑制残渣堆积，并提高气化效率。该气化系统具备：气化室，其具有一端部和另一端部；第一流体供给部，其在另一端部与气化室连接，且朝向一端部供给混合有第一载气和液体原料的混合流体；以及第二流体供给部，其在一端部与气化室连接，且构成为在从一端部供给第二载气时，使第二流体供给部供给的第二载气沿着气化室的内壁流动。
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公开(公告)号：CN114250453A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111113817.6
申请日：2021-09-23
Applicant: 株式会社国际电气
IPC: C23C16/52 , C23C16/455 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置以及半导体装置的制造方法，能够提高基板的面内膜厚均匀性以及各基板之间的膜厚均匀性。具有：对以液体供给的原料进行气化而生成原料气体的气化器(91)；蓄积从气化器取出的原料气体的容器、即第一容器(95A)、第二容器(95B)；设置于连接气化器和容器的配管(47a)且控制向容器供给的原料气体的流量的流量控制器(100)；设置于配管且开闭配管的流路的第一阀(93A、93B)；设置于容器的下游且放出由容器蓄积的原料气体的第二阀(97A、97B)；设置于第二阀的下游且供给原料气体的处理室(2)；以交替地反复原料气体从气化器向容器的蓄积与从容器向处理室的放出的方式控制的控制部。
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