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公开(公告)号：CN101080378B
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN200580043113.9
申请日：2005-10-17
Applicant: 株式会社吴羽
IPC: C07C51/43 , C07C59/06 , C07D319/12 , C08G63/78 , C08L101/16
CPC classification number: C08G63/78 , C07C51/43 , C07D319/12 , C08G63/06 , C07C59/06
Abstract: 公开了一种纯化羟基羧酸的方法，其包括：将羟基羧酸水溶液进行结晶纯化的结晶步骤、从母液中分离羟基羧酸晶体的分离步骤、和用洗液洗涤所述羟基羧酸晶体以进一步纯化的洗涤步骤，其中所述洗液为羟基羧酸水溶液。通过上述方法得到的纯化或精制的羟基羧酸适合作为制备聚羟基羧酸的原料。上述方法适合地包括在制备环酯的方法和制备聚羟基羧酸的方法中。
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公开(公告)号：CN104619690B
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201380046913.0
申请日：2013-11-19
Applicant: 株式会社吴羽
IPC: C07D319/12 , C08G63/78
CPC classification number: B01D3/26 , B01J19/24 , B01J2219/00018 , B01J2219/24 , C07D319/12
Abstract: 本发明提供一种GL制造方法、粗GL的精炼方法，以及具备反应容器和精馏器的GL制造装置、粗GL精炼装置，其中，GL制造方法具备：工序(1)：优选将含有高沸点有机溶剂或者增溶剂的GAO组合物提供给反应容器，加热到GAO发生解聚反应的温度；工序(2)：继续加热，令GAO进行解聚反应，生成GL；工序(3)：将GL从反应容器中馏出；工序(4)：将馏出物导入精馏器，通过气液的逆流接触进行精馏；工序(5)：回收GL；粗GL的精炼方法具备：工序(i)：优选将含有高沸点有机溶剂或者增溶剂的粗GL组合物提供给反应容器，令GL馏出；工序(ii)：将馏出物导入精馏器，通过气液的逆流接触进行精馏；工序(iii)：回收GL。
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公开(公告)号：CN101080378A
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200580043113.9
申请日：2005-10-17
Applicant: 株式会社吴羽
IPC: C07C51/43 , C07C59/06 , C07D319/12 , C08G63/78 , C08L101/16
CPC classification number: C08G63/78 , C07C51/43 , C07D319/12 , C08G63/06 , C07C59/06
Abstract: 公开了一种纯化羟基羧酸的方法，其包括：将羟基羧酸水溶液进行结晶纯化的结晶步骤、从母液中分离羟基羧酸晶体的分离步骤、和用洗液洗涤所述羟基羧酸晶体以进一步纯化的洗涤步骤，其中所述洗液为羟基羧酸水溶液。通过上述方法得到的纯化或精制的羟基羧酸适合作为制备聚羟基羧酸的原料。上述方法适合地包括在制备环酯的方法和制备聚羟基羧酸的方法中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104619690A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201380046913.0
申请日：2013-11-19
Applicant: 株式会社吴羽
IPC: C07D319/12 , C08G63/78
CPC classification number: B01D3/26 , B01J19/24 , B01J2219/00018 , B01J2219/24 , C07D319/12
Abstract: 本发明提供一种GL制造方法、粗GL的精炼方法，以及具备反应容器和精馏器的GL制造装置、粗GL精炼装置，其中，GL制造方法具备：工序(1)：优选将含有高沸点有机溶剂或者增溶剂的GAO组合物提供给反应容器，加热到GAO发生解聚反应的温度；工序(2)：继续加热，令GAO进行解聚反应，生成GL；工序(3)：将GL从反应容器中馏出；工序(4)：将馏出物导入精馏器，通过气液的逆流接触进行精馏；工序(5)：回收GL；粗GL的精炼方法具备：工序(i)：优选将含有高沸点有机溶剂或者增溶剂的粗GL组合物提供给反应容器，令GL馏出；工序(ii)：将馏出物导入精馏器，通过气液的逆流接触进行精馏；工序(iii)：回收GL。
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公开(公告)号：CN102295550A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201110135681.9
申请日：2005-10-17
Applicant: 株式会社吴羽
IPC: C07C59/06 , C07C51/43 , C07D319/12 , C08G63/78 , C08G63/06
CPC classification number: C08G63/78 , C07C51/43 , C07D319/12 , C08G63/06 , C07C59/06
Abstract: 本发明涉及一种进一步加工被纯化的羟基羧酸的方法，其包括：一种纯化羟基羧酸的连续方法，其包括：将羟基羧酸水溶液进行结晶纯化的结晶步骤、从滤液中分离羟基羧酸晶体的分离步骤、和用洗液洗涤所述羟基羧酸晶体以进一步纯化的洗涤步骤，从而获得被纯化的羟基羧酸，其中所述洗液为起始羟基羧酸水溶液，将与所述羟基羧酸晶体分离的一部分滤液排出系统，和将洗涤所述羟基羧酸晶体之后的洗涤滤液作为待进行所述结晶步骤的羟基羧酸水溶液再循环；将该羟基羧酸进行缩聚形成羟基羧酸的低聚物；以及使该低聚物解聚以形成作为所述羟基羧酸的二聚体的环酯。本发明的方法适合地用于进一步加工被纯化的羟基羧酸。
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公开(公告)号：CN100544810C
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200580030954.6
申请日：2005-07-27
Applicant: 株式会社吴羽
CPC classification number: B01F13/1016 , B01F3/1221 , B01F7/00633 , B01F7/186 , B01F13/1013
Abstract: 本发明涉及固液接触装置和方法。该垂直固液接触装置包括：相互串联地邻接垂直布置的多个搅拌室，都用于隔开相邻一对搅拌室并设有用于在所述相邻一对搅拌室之间连通的连通孔的多个隔板，以及设置在所述装置下部的液体入口和设置在所述装置上部的固体入口。每一个搅拌室具有限定所述搅拌室的内侧壁、径向排放搅拌叶片和在所述内侧壁上固定成垂直延伸的至少一个挡板。所述搅拌叶片和所述挡板定位成偏向所述搅拌室的下侧。该装置具有固体流和液体流的高均匀性和高接触效率，简单结构并且容易按比例放大。该装置可广泛地用于化学工业中的单元操作。该装置在接近其最大负荷操作时具有尤其良好的固液接触效率。
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公开(公告)号：CN100383137C
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN01810310.3
申请日：2001-03-30
Applicant: 株式会社吴羽
IPC: C07D319/12 , B01D9/02
CPC classification number: C07D319/12 , B01D9/00 , B01D9/0004 , B01D9/004 , B01D9/005
Abstract: 本发明的目的是提供简单、高效、可连续精制环酯的方法。在环酯结晶的精制方法中，将原料结晶的粗环酯从设置在纵向延伸的筒型精制塔1下部的原料结晶的加料口3加入，用设置在精制塔1内的搅拌装置2边搅拌边使原料上升，通过精制塔1内的精制结晶组分的下降融熔液与上升原料结晶的对流接触来精制原料结晶，再由设置在上述精制塔1上部的出料口4取出精制后的结晶制品。
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公开(公告)号：CN101018601A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200580030954.6
申请日：2005-07-27
Applicant: 株式会社吴羽
CPC classification number: B01F13/1016 , B01F3/1221 , B01F7/00633 , B01F7/186 , B01F13/1013
Abstract: 本发明涉及固液接触装置和方法。该垂直固液接触装置包括：相互串联地邻接垂直布置的多个搅拌室，都用于隔开相邻一对搅拌室并设有用于在所述相邻一对搅拌室之间连通的连通孔的多个隔板，以及设置在所述装置的上部和下部的液体入口和固体入口。每一个搅拌室具有限定所述搅拌室的内侧壁、径向排放搅拌叶片和在所述内侧壁上固定成垂直延伸的至少一个挡板。所述搅拌叶片和所述挡板定位成偏向所述搅拌室的下侧。该装置具有固体流和液体流的高均匀性和高接触效率，简单结构并且容易按比例放大。该装置可广泛地用于化学工业中的单元操作。该装置在接近其最大负荷操作时具有尤其良好的固液接触效率。
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