偏振膜及其制造方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114096899A

    公开(公告)日:2022-02-25

    申请号:CN202080049735.7

    申请日:2020-05-07

    Inventor: 大桥亘 辻嘉久

    Abstract: 偏振膜,其包含:聚乙烯醇(A)、选自下述式(I)所示的单有机硼酸和在水的存在下能够转化为该单有机硼酸的化合物中的至少1种含硼化合物(B)、以及选自下述式(II)所示的二有机硼酸和在水的存在下能够转化为该二有机硼酸的化合物中的至少1种含硼化合物(C),源自含硼化合物(B)的硼元素相对于源自含硼化合物(C)的硼元素的质量比(B/C)为0.8~3.0,源自含硼化合物(B)的硼元素含量相对于聚乙烯醇(A)100质量份为0.15~3.0质量份。该偏振膜在高温下的收缩力小,光学性能和耐湿热性也优异。[式(I)中,R1是碳原子数为1~20的1价脂肪族基,R1与有机硼酸基通过硼‑碳键连接]。[式(II)中,R2是碳原子数为1~20的2价脂肪族基,R2与有机硼酸基通过硼‑碳键连接]。[式(I)中,R1是碳原子数为1~20的1价脂肪族基,R1与有机硼酸基通过硼‑碳键连接]。[式(II)中,R2是碳原子数为1~20的2价脂肪族基,R2与有机硼酸基通过硼‑碳键连接]。

    偏振膜和其制造方法
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108603974B

    公开(公告)日:2024-01-16

    申请号:CN201780010637.0

    申请日:2017-02-08

    Abstract: 在对聚乙烯醇膜按顺序至少实施溶胀步骤、染色步骤、第1交联拉伸步骤、第2交联拉伸步骤的偏振膜的制造方法中;前述聚乙烯醇膜中包含的聚乙烯醇的平均聚合度为2500~3500;在前述第1交联拉伸步骤中,在包含1~5质量%的硼酸的40~55℃的水溶液中,以该步骤中的拉伸倍率达到1.1 1.3倍且总拉伸倍率达到2.5 3.5倍的方~ ~式进行单轴拉伸;在前述第2交联拉伸步骤中,在包含1~5质量%的硼酸的60~70℃的水溶液中,以该步骤中的拉伸倍率达到1.8~3.0倍且总拉伸倍率达到6 8倍的方式进行单轴拉伸。由此,能够制~造具有优异的偏振性能、而且收缩应力低的偏振膜。

    偏振膜的制造方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116234678A

    公开(公告)日:2023-06-06

    申请号:CN202180066786.5

    申请日:2021-09-29

    Abstract: 偏振膜的制造方法,其对于聚乙烯醇膜至少依次实施溶胀工序、染色工序、第1交联拉伸工序、第2交联拉伸工序、第3交联拉伸工序,其中,前述聚乙烯醇膜的厚度为5~100μm,前述聚乙烯醇膜中包含的聚乙烯醇的平均聚合度为2000~4000,在前述溶胀工序中,在10~50℃的水中浸渍而使前述聚乙烯醇膜溶胀,在前述染色工序中,在总计包含0.5~3质量%的碘和碘化钾的10~50℃的水溶液中浸渍,使碘系二色性色素浸渗于前述聚乙烯醇膜中,同时进行单轴拉伸,以使总拉伸倍率成为2~3倍,在前述第1交联拉伸工序中,在包含1~5质量%的硼酸的温度T1的水溶液中进行单轴拉伸,以使该工序中的拉伸倍率成为1.1~1.3倍且总拉伸倍率成为2.5~3.5倍,在前述第2交联拉伸工序中,在包含1~5质量%的硼酸的温度T2的水溶液中,进行单轴拉伸,以使该工序中的拉伸倍率成为1.3~1.8倍且总拉伸倍率成为4~6倍,在前述第3交联拉伸工序中,在包含1~5质量%的硼酸的温度T3的水溶液中,进行单轴拉伸,以使该工序中的拉伸倍率成为1.1~1.3倍且总拉伸倍率成为4.5~7倍,上述T1、T2和T3满足以下的式(1)和(2)。由此,即使PVA的平均聚合度低的情况下,也能够维持生产稳定性,并且得到维持优异的偏振性能的同时收缩应力小的偏振膜。25≤T1≤45 (1) T1<T2<T3≤75 (2)。

    硫化锌系荧光体的制造方法

    公开(公告)号:CN102112576A

    公开(公告)日:2011-06-29

    申请号:CN200980130548.5

    申请日:2009-07-30

    CPC classification number: C09K11/625 C09K11/876 H05B33/14

    Abstract: 本发明提供一种硫化锌系荧光体的制造方法,其特征在于,其通过烧成硫化锌系荧光体前体来制造硫化锌系荧光体,在将含有硫化锌系荧光体前体、硫和含氯熔剂的混合物烧成的第一烧成工序中,将前述混合物加热,在导入氧气的气氛下使其从常温升温至荧光体前体的晶系发生转变的温度,接着,从超过该转变温度时起将该气氛切换成氮气气氛,进一步继续加热升温,在到达1000℃以上且1200℃以下的温度后维持该温度一定,之后将该混合物急冷、洗涤,得到烧成物,在将由前述第一烧成工序得到的烧成物进一步烧成的第二烧成工序中,将前述第一烧成工序中得到的烧成物在氮气气氛下加热,使其从常温升温至650℃以上且1000℃以下的温度,接着,在到达该温度后边导入氧气边保持该温度,之后将该烧成物急冷、洗涤,从而得到硫化锌系荧光体。

    偏振膜及其制造方法
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114096899B

    公开(公告)日:2025-01-03

    申请号:CN202080049735.7

    申请日:2020-05-07

    Inventor: 大桥亘 辻嘉久

    Abstract: 偏振膜,其包含:聚乙烯醇(A)、选自下述式(I)所示的单有机硼酸和在水的存在下能够转化为该单有机硼酸的化合物中的至少1种含硼化合物(B)、以及选自下述式(II)所示的二有机硼酸和在水的存在下能够转化为该二有机硼酸的化合物中的至少1种含硼化合物(C),源自含硼化合物(B)的硼元素相对于源自含硼化合物(C)的硼元素的质量比(B/C)为0.8~3.0,源自含硼化合物(B)的硼元素含量相对于聚乙烯醇(A)100质量份为0.15~3.0质量份。该偏振膜在高温下的收缩力小,光学性能和耐湿热性也优异。[式(I)中,R1是碳原子数为1~20的1价脂肪族基,R1与有机硼酸基通过硼‑碳键连接]。[式(II)中,R2是碳原子数为1~20的2价脂肪族基,R2与有机硼酸基通过硼‑碳键连接]。#imgabs0#[式(I)中,R1是碳原子数为1~20的1价脂肪族基,R1与有机硼酸基通过硼‑碳键连接]。#imgabs1#[式(II)中,R2是碳原子数为1~20的2价脂肪族基,R2与有机硼酸基通过硼‑碳键连接]。

    硫化锌系荧光体的制造方法

    公开(公告)号:CN102112576B

    公开(公告)日:2013-07-31

    申请号:CN200980130548.5

    申请日:2009-07-30

    CPC classification number: C09K11/625 C09K11/876 H05B33/14

    Abstract: 本发明提供一种硫化锌系荧光体的制造方法,其特征在于,其通过烧成硫化锌系荧光体前体来制造硫化锌系荧光体,在将含有硫化锌系荧光体前体、硫和含氯熔剂的混合物烧成的第一烧成工序中,将前述混合物加热,在导入氧气的气氛下使其从常温升温至荧光体前体的晶系发生转变的温度,接着,从超过该转变温度时起将该气氛切换成氮气气氛,进一步继续加热升温,在到达1000℃以上且1200℃以下的温度后维持该温度一定,之后将该混合物急冷、洗涤,得到烧成物,在将由前述第一烧成工序得到的烧成物进一步烧成的第二烧成工序中,将前述第一烧成工序中得到的烧成物在氮气气氛下加热,使其从常温升温至650℃以上且1000℃以下的温度,接着,在到达该温度后边导入氧气边保持该温度,之后将该烧成物急冷、洗涤,从而得到硫化锌系荧光体。

    含铱元素的荧光体及其制造方法

    公开(公告)号:CN101652450B

    公开(公告)日:2013-06-12

    申请号:CN200880011518.8

    申请日:2008-04-08

    CPC classification number: C09K11/87 C09K2211/185

    Abstract: 本发明提供在能量效率、色纯度、经济问题等方面没有问题、且能够有效发光的含铱第II-第VI族化合物荧光体及其制造方法。通过下述荧光体解决上述问题,所述荧光体,其特征在于,其是由含有铱的第II-第VI族化合物半导体组成的荧光体,铱从荧光体颗粒表面至内部均匀地分散。本发明还提供一种上述含铱荧光体的制造方法,其特征在于,其包括将包含第II-第VI族化合物半导体和铱化合物的无机组合物进行烧成的工序,使用铱络合物作为铱化合物。

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