光学膜制造用膜、光学膜的制造方法和光学膜

    公开(公告)号:CN114450329B

    公开(公告)日:2024-11-01

    申请号:CN202080070727.0

    申请日:2020-09-24

    Abstract: 提供具有良好的生产率、能够得到与使用具有相同聚合度的未改性PVA的情况相比光学性能和耐湿热性更优异的光学膜的光学膜制造用膜,使用这种光学膜制造用膜得到的光学膜的制造方法和光学膜。本发明是光学膜制造用膜,其包含具有含硅基团的聚乙烯醇,上述含硅基团为硅烷醇基或者能够在水的存在下转化为硅烷醇基的基团,上述聚乙烯醇的粘均聚合度为1,000以上且6,000以下、皂化度为98.7摩尔%以上,并且,上述含硅基团相对于全部结构单元的含量为0.01摩尔%以上且1.0摩尔%以下。

    人造大理石成型用聚乙烯醇脱模膜、和使用其的人造大理石的制造方法

    公开(公告)号:CN112996642A

    公开(公告)日:2021-06-18

    申请号:CN201980073474.X

    申请日:2019-09-06

    Abstract: 人造大理石成型用聚乙烯醇脱模膜,其为将成为人造大理石的原料的原液供给至赋形装置而固化成型时配置于原液与赋形装置之间的脱模膜,其特征在于,该脱模膜为聚乙烯醇膜,且满足下述式(1)。由此,提供在宽泛的人造大理石的制造中,也能够抑制在两个端部处产生的褶皱、卷曲等,防止所得人造大理石的表面形状的不良,能够简化将人造大理石研削·研磨的步骤的人造大理石成型用聚乙烯醇脱模膜、和使用其的人造大理石的制造方法。4.6×10‑3≥Δn(MD)0‑1.4×10‑3≥Δn(TD)0≥1.0×10‑3(1) [式(1)中,Δn(MD)0表示在聚乙烯醇脱模膜的宽度方向中心区域、将机械运动方向的双折射率沿该膜的厚度方向上平均化而得到的值,Δn(TD)0表示在聚乙烯醇脱模膜的宽度方向中心区域、将宽度方向的双折射率沿该膜的厚度方向上平均化而得到的值]。

    人造大理石成型用聚乙烯醇脱模膜、和使用其的人造大理石的制造方法

    公开(公告)号:CN112996642B

    公开(公告)日:2022-11-29

    申请号:CN201980073474.X

    申请日:2019-09-06

    Abstract: 人造大理石成型用聚乙烯醇脱模膜,其为将成为人造大理石的原料的原液供给至赋形装置而固化成型时配置于原液与赋形装置之间的脱模膜,其特征在于,该脱模膜为聚乙烯醇膜,且满足下述式(1)。由此,提供在宽泛的人造大理石的制造中,也能够抑制在两个端部处产生的褶皱、卷曲等,防止所得人造大理石的表面形状的不良,能够简化将人造大理石研削·研磨的步骤的人造大理石成型用聚乙烯醇脱模膜、和使用其的人造大理石的制造方法。4.6×10‑3≥Δn(MD)0‑1.4×10‑3≥Δn(TD)0≥1.0×10‑3(1)[式(1)中,Δn(MD)0表示在聚乙烯醇脱模膜的宽度方向中心区域、将机械运动方向的双折射率沿该膜的厚度方向上平均化而得到的值,Δn(TD)0表示在聚乙烯醇脱模膜的宽度方向中心区域、将宽度方向的双折射率沿该膜的厚度方向上平均化而得到的值]。

    液压转印用基膜
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104203593B

    公开(公告)日:2018-03-27

    申请号:CN201380014929.3

    申请日:2013-03-06

    CPC classification number: B44C1/175

    Abstract: 本发明的课题在于,提供一种能够形成可充分防止漂浮在液面上时的卷曲、转印效率优异的液压转印用膜的液压转印用基膜、由其形成的液压转印用膜以及使用该液压转印用膜的液压转印方法。其解决方法在于:端部3具有线状的刻痕的液压转印用基膜1;对该液压转印用基膜1的表面实施印刷而成的液压转印用膜;以及,一种液压转印方法,其包括:使该液压转印用膜的实施印刷的面朝上漂浮在液面上的工序、和从漂浮的液面转印用膜的上方按压被转印体的工序。

    聚乙烯醇膜和使用其的光学膜的制造方法

    公开(公告)号:CN115996974A

    公开(公告)日:2023-04-21

    申请号:CN202180047228.4

    申请日:2021-06-23

    Abstract: 本发明提供能够制造光学性能优异、高温下的收缩应力小的光学膜的PVA膜、以及使用这种PVA膜的光学膜的制造方法。对于本发明的聚乙烯醇膜,根据在水/甲醇混合溶剂中(体积比率:2/8)进行的小角X射线散射测定求出的结晶长周期Ds与根据在浸渍于前述混合溶剂之前进行的小角X射线散射测定求出的结晶长周期Da满足下式。0.3≤(Ds‑Da)/Da

    液压转印用基膜
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104203593A

    公开(公告)日:2014-12-10

    申请号:CN201380014929.3

    申请日:2013-03-06

    CPC classification number: B44C1/175

    Abstract: 本发明的课题在于,提供一种能够形成可充分防止漂浮在液面上时的卷曲、转印效率优异的液压转印用膜的液压转印用基膜、由其形成的液压转印用膜以及使用该液压转印用膜的液压转印方法。其解决方法在于:端部3具有线状的刻痕的液压转印用基膜1;对该液压转印用基膜1的表面实施印刷而成的液压转印用膜;以及,一种液压转印方法,其包括:使该液压转印用膜的实施印刷的面朝上漂浮在液面上的工序、和从漂浮的液面转印用膜的上方按压被转印体的工序。

Patent Agency Ranking